伯東企業(yè)（上海）有限公司
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HVA 真空閥門應(yīng)用于E-Beam 鍍膜機(jī)
某品牌Sputtering+E-BeamPVD鍍膜機(jī)系統(tǒng)采用HVA真空閥門11000,HVA真空閥門安裝在分子泵口便于泵的檢修,同時(shí)外系統(tǒng)停機(jī)時(shí)不破壞系統(tǒng)真空,只要對(duì)泵內(nèi)部進(jìn)行破真空即可.HVA不銹鋼真空閘閥11000系列標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)規(guī)格:閥門材質(zhì):-閥門主體304不銹鋼-焊接波紋管軸封AM-350閥門密封方式-高真空氟橡膠-超高真空銅墊圈/氟橡膠真空:-壓力范圍高真空1x10-9mbar,超高真空1x10-10mbar-漏率-差壓關(guān)閉1bar(任意位置)-開啟前zui大壓力≤30mbar烘烤溫度（ -
HVA 真空閥門成功應(yīng)用于粒子加速器系統(tǒng)
伯東代理的美國HVA真空閥門成功應(yīng)用于中國研制的亞洲zui大的粒子加速器系統(tǒng).HVA不銹鋼真空閘閥11000系列標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)規(guī)格:閥門材質(zhì):-閥門主體304不銹鋼-焊接波紋管軸封AM-350閥門密封方式-高真空氟橡膠-超高真空銅墊圈/氟橡膠真空:-壓力范圍高真空1x10-9mbar,超高真空1x10-10mbar-漏率-差壓關(guān)閉1bar(任意位置)-開啟前zui大壓力≤30mbar烘烤溫度（不含電磁閥）:-彈性體密封閥蓋150°C-金屬密封閥蓋-開啟溫度：200°C-關(guān)閉值：150°C-驅(qū)動(dòng)方式手動(dòng) -
KRi 離子源 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用
上海伯東美國KRi考夫曼離子源e-beam電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用上海伯東美國KRi考夫曼離子源KDC系列,通過加熱燈絲產(chǎn)生電子,是典型的考夫曼型離子源,離子源增強(qiáng)設(shè)計(jì)輸出低電流高能量寬束型離子束,通過同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜,實(shí)現(xiàn)輔助鍍膜IBAD.e-beam電子束蒸發(fā)系統(tǒng)加裝KRi離子源作用通過向生長的薄膜中添加能量來增強(qiáng)分子動(dòng)力學(xué),以增加表面和原子/分子的流動(dòng)性,從而導(dǎo)致薄膜的致密化.通過向生長薄膜中添加活性離子來增強(qiáng)薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化,從而得到化學(xué) -
KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用
上海伯東美國KRi考夫曼品牌RF射頻離子源,無需燈絲提供高能量,低濃度的寬束離子束,離子束轟擊濺射目標(biāo),濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜,IBSD離子束濺射沉積和IBD離子束沉積是其典型的應(yīng)用.KRi離子源在IBSD離子束濺射沉積應(yīng)用通常安裝兩個(gè)離子源主要濺射沉積源和二次預(yù)清潔/離子輔助源一次氣源為惰性氣體,二次氣源為惰性或反應(yīng)性氣體基板遠(yuǎn)離濺射目標(biāo)工藝壓力在小于×10-4torr離子源在離子束濺射沉積工藝過程:上海伯東美國KRi射頻離子源優(yōu)勢提供致密,光滑,無針孔,耐用的薄膜遠(yuǎn)離等離子體 -
KRi 考夫曼離子源表面預(yù)清潔 Pre-clean 應(yīng)用
上海伯東代理美國KRi考夫曼離子源適用于安裝在MBE分子束外延,濺射和蒸發(fā)系統(tǒng),PLD脈沖激光系統(tǒng)等,在沉積前用離子轟擊表面,進(jìn)行預(yù)清潔Pre-clean的工藝,對(duì)基材表面有機(jī)物清洗,金屬氧化物的去除等,提高沉積薄膜附著力,純度,應(yīng)力,工藝效率等！KRi離子源預(yù)清潔可以實(shí)現(xiàn)去除物理吸附污染:去除表面污染,如水,吸附氣體,碳?xì)浠衔餁埩羧コ瘜W(xué)吸附污染:去除天然和粘合材料.如表面氧化物,通常去除KRi考夫曼離子源表面預(yù)清潔Pre-clean應(yīng)用實(shí)驗(yàn)條件:8寸硅片帶銅膜,通氬氣,60s污染物清除:有 -
美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機(jī)應(yīng)用
上海伯東某客戶在熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)中配置美國KRi考夫曼離子源KDC40,進(jìn)行鍍膜前基片預(yù)清潔Pre-clean和輔助鍍膜IBAD工藝,通過同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜,提高沉積薄膜附著力,純度,應(yīng)力,工藝效率等.離子源鍍膜前基片預(yù)清潔Pre-clean和輔助鍍膜IBAD考夫曼離子源KDC40中心到基片中心距離控制在300mm,離子源和基片都設(shè)計(jì)為高度可調(diào)節(jié),客戶可根據(jù)不同的工藝要求選擇合適的角度.離子源上面做可聯(lián)動(dòng)控制的蓋板,在離子源剛啟動(dòng)時(shí)關(guān)閉蓋板,待離子束流穩(wěn)定后 -
美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應(yīng)用
上海伯東美國KRi霍爾離子源EH系列,提供高電流低能量寬束型離子束,KRi霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面,多種型號(hào)滿足科研及工業(yè),半導(dǎo)體應(yīng)用.霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率,低能量減少離子轟擊損傷表面,寬束設(shè)計(jì)提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū).整體易操作,易維護(hù),安裝于各類真空設(shè)備中,例如e-beam電子束鍍膜機(jī),loadlock,濺射系統(tǒng),分子束外延,脈沖激光沉積等,實(shí)現(xiàn)IBAD輔助鍍膜的工藝.KRi霍爾離子源特點(diǎn)高電流低能量寬束型離子束燈絲壽命更長更長的運(yùn)行時(shí)間更清潔的薄膜燈絲安裝在離子源 -
因產(chǎn)品配置不同，價(jià)格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。氦質(zhì)譜檢漏儀六氟化硫密度表檢漏22萬伏高壓變電站通過高壓開關(guān)(高壓斷路器)進(jìn)行開斷和關(guān)合等控制,其中六氟化硫SF6斷路器通過內(nèi)部充入絕緣氣體六氟化硫進(jìn)行絕緣,斷路器本身需要經(jīng)過檢漏,確保六氟化硫不漏,帶電運(yùn)行下,為了雙重安全考慮,同時(shí)使用六氟化硫密度表監(jiān)測SF6泄露情況.因此需要對(duì)密度表本身進(jìn)行無損泄漏檢測.上海伯東六氟化硫密度表檢漏客戶案例:某從事電力設(shè)備及控制系統(tǒng)集成公司,使用氦質(zhì)譜檢漏儀ASM340對(duì)其生產(chǎn)的六氟化硫密
