伯東企業(yè)（上海）有限公司
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KRi 射頻離子源 RFICP 100 應(yīng)用于國產(chǎn)離子束濺射鍍膜機(jī) IBSD
上海伯東美國KRi射頻離子源應(yīng)用于國產(chǎn)離子束濺射鍍膜機(jī)IBSD上海伯東客戶某高校使用國產(chǎn)品牌離子束濺射鍍膜機(jī)用于金屬薄膜制備,工藝過程中,國產(chǎn)離子源鎢絲僅使用18個小時就會燒斷,必須中斷鍍膜工藝更換鎢絲,無法滿足長時間離子束濺射鍍膜的工藝要求,導(dǎo)致薄膜質(zhì)量低的情況.客戶需要離子源的穩(wěn)定工作時間不低于48個小時,經(jīng)過伯東推薦最終改用美國KRi射頻離子源RFICP100替換原有的國產(chǎn)離子源,單次工藝時間可以達(dá)到數(shù)百小時,符合客戶長時間鍍膜的工藝要求,維持高穩(wěn)定離子束濺射工藝獲得高品質(zhì)薄膜.上海伯東真 -
美國 inTEST ATS-535 熱流儀半導(dǎo)體芯片高低溫測試應(yīng)用
上海伯東美國inTESTATS-535集成空壓機(jī)的高低溫沖擊熱流儀,高低溫測試范圍-60至+225°C,為半導(dǎo)體功率器件(MOSFET,IGBT,SIC,GaN,車規(guī)級芯片…),功率模塊,功率集成電路,智能傳感器等芯片研發(fā)提供高低溫測試解決方案.inTESTATS-535高低溫沖擊熱流儀優(yōu)勢集成空壓機(jī):特別適用于對環(huán)境噪音有嚴(yán)格要求的寫字樓園區(qū)或研發(fā)環(huán)境,省去重新評估空壓系統(tǒng)及配管的時間及人力成本,解決了因?yàn)榄h(huán)境受限無法提供壓縮氣體的芯片高低溫測試難題.移動式設(shè)計(jì):機(jī)動性更強(qiáng)溫度范圍廣:-60至 -
KRi 考夫曼離子源 KDC 160 應(yīng)用于硅片刻蝕清潔
KRi考夫曼離子源KDC160應(yīng)用于硅片刻蝕清潔上海伯東美國KRi大尺寸考夫曼離子源KDC160適用于2-4英寸的硅片刻蝕和清潔應(yīng)用,KRiKDC160是直流柵網(wǎng)離子源,高輸出離子束電流超過1000mA.高功率光束無需對離子源進(jìn)行水冷卻即可實(shí)現(xiàn).KDC160配備了雙燈絲.在標(biāo)準(zhǔn)配置下,KDC160典型離子能量范圍為100至1200eV,離子電流可超過800mA.KRi考夫曼離子源KDC160應(yīng)用于硅片刻蝕系統(tǒng):批量處理,行星載臺4x10片,刻蝕均勻性上海伯東美國KRi考夫曼離子源KDC適用于標(biāo)準(zhǔn) -
KRI 離子源應(yīng)用于超高真空磁控濺鍍設(shè)備
KRI離子源應(yīng)用于超高真空磁控濺鍍設(shè)備UHVSputter上海伯東代理美國KRI離子源應(yīng)用于超高真空磁控濺鍍設(shè)備UHVSputter實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量薄膜!超高真空環(huán)境的特征為其真空壓力低于10-8至10-12托,且在化學(xué),物理和工程領(lǐng)域十分常見.超高真空環(huán)境對于科學(xué)研究非常重要,因?qū)嶒?yàn)通常要求在整個實(shí)驗(yàn)的過程中,表面應(yīng)保持無污染狀態(tài)并可使用較低能量的電子和離子的實(shí)驗(yàn)技術(shù)使用,而不會受到氣相散射的干擾并可以在這樣超高真空環(huán)境下使用濺鍍系統(tǒng)以提供高質(zhì)量的薄膜.針對超高真空和高溫加熱設(shè)計(jì)的基板旋轉(zhuǎn)鍍膜機(jī)構(gòu), -
考夫曼離子源創(chuàng)始人Dr.HaroldR.KaufmanKaufman博士1926年在美國出生,1951年加入美國NASA路易斯研究中心,60年考夫曼博士發(fā)明了電子轟擊離子推進(jìn)器并以他的名字命名(考夫曼推進(jìn)器).1969年美國航空航天學(xué)會AIAA授予他JamesH.Wyld推進(jìn)獎,1970年考夫曼推進(jìn)器贏得了IR100(前身研發(fā)100獎),1971年考夫曼博士獲得美國宇航局杰出服務(wù)獎.2016年,美國NASA宇航局將HaroldKaufman博士列入格倫研究中心名人堂1978年Kaufman&Ro
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KRI 離子源應(yīng)用于磁控共濺鍍設(shè)備 Co-sputter
KRI離子源應(yīng)用于磁控共濺鍍設(shè)備Co-sputter上海伯東代理美國KRI考夫曼離子源應(yīng)用于磁控共濺鍍設(shè)備Co-sputter實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的復(fù)合式薄膜!磁控共濺鍍主要用于復(fù)合金屬或復(fù)合材料,通過分別優(yōu)化每一支磁控濺鍍槍(靶材)的功率來控制薄膜質(zhì)量,其薄膜厚度取決于濺鍍時間.特殊系統(tǒng)設(shè)計(jì)的磁控共濺鍍腔提供了精準(zhǔn)控制多個磁控濺鍍的制程條件,為客戶提供更好質(zhì)量的復(fù)合式薄膜.濺鍍腔中,有單片和多片式的loadingchamber,可節(jié)省其制程腔體的抽氣時間,進(jìn)而節(jié)省整體實(shí)驗(yàn)時間.------------－ -
KRi 射頻離子源應(yīng)用于紅外截止濾光片 IRCF 工藝
KRi射頻離子源應(yīng)用于紅外截止濾光片IRCF工藝上海伯東某客戶為精密光學(xué)鍍膜產(chǎn)品生產(chǎn)商,生產(chǎn)過程中需在白玻璃上進(jìn)行鍍膜.由于國產(chǎn)鍍膜設(shè)備在射頻和光控性能方面的限制,鍍制過程易出現(xiàn)溫漂現(xiàn)象,材料折射率不高,品質(zhì)無法保證;且工藝上需要加熱,這大大增加了鍍膜時間.經(jīng)過伯東推薦選用國產(chǎn)鍍膜機(jī)加裝美國進(jìn)口KRi射頻離子源進(jìn)行輔助鍍膜,保證工藝效果,提高生產(chǎn)效率.紅外截止濾光片是一種用于過濾紅外波段的濾鏡,IRCF利用精密光學(xué)鍍膜技術(shù)在白玻璃,藍(lán)玻璃或樹脂片等光學(xué)基片上交替鍍上高低折射率的光學(xué)膜,其可通過實(shí) -
KRi離子源應(yīng)用于藍(lán)玻璃AR工藝配備800萬或以上像素的手機(jī)都基本內(nèi)嵌藍(lán)玻璃濾光片的攝像頭.藍(lán)玻璃濾光片通過ARCoating的鍍膜,可以增加透光率和反射紅外光.光線在透過不同介質(zhì)時會產(chǎn)生折射和反射,當(dāng)加上單面ARCoating后,濾光片會提升3～5%的透光率,讓圖像更清晰且讓濾光片不容易起霧.上海伯東協(xié)助某從事光學(xué)玻璃鍍膜機(jī)生產(chǎn)的客戶,在光學(xué)鏡頭材料藍(lán)玻璃AR工藝方面實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破！經(jīng)過推薦客戶采用光學(xué)鍍膜機(jī)加裝美國進(jìn)口KRi大尺寸射頻離子源RFICP380,在離子清洗,輔助沉積時,提高藍(lán)玻璃的
