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上海伯東提供適用于薄膜太陽能電池生產(chǎn)的離子源和真空系統(tǒng)
沒有真空,就不可能有可再生能源.例如光伏發(fā)電PV,這是一種廣為人知的發(fā)電方法,即利用太陽能電池,通過光伏效應(yīng),將來自太陽的能量轉(zhuǎn)換為電子流,從而產(chǎn)生電能.太陽能電池技術(shù)有多種類型,主要技術(shù)之一是基于薄膜沉積.該技術(shù)的主要優(yōu)勢是太陽能電池生產(chǎn)中的材料消耗低.除諸如碲化鎘CdTe之類材料外,銅銦鎵硒化物CIGS也經(jīng)常用于吸收層.這些層可以沉積在玻璃等非柔性基板上,或者金屬帶材或箔片等柔性基板上,又或柔性薄玻璃上,然后須將基板裝入一個大型真空室內(nèi).在該真空腔室內(nèi)會進行多種PVD工藝,例如濺射或蒸發(fā),以 -
Aston 質(zhì)譜儀等離子體刻蝕過程及終點監(jiān)測
刻蝕是半導(dǎo)體制造中的工藝之一,上海伯東日本AtonarpAston質(zhì)譜儀適用于等離子體刻蝕過程及終點監(jiān)測(干法刻蝕終點檢測),通過持續(xù)監(jiān)控腔室工藝化學(xué)氣體,確保半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)的高產(chǎn)量和吞吐量.Aston質(zhì)譜儀干法刻蝕終點檢測整體解決方案連續(xù)蝕刻工藝金屬,如鋁Al,鎢W,銅Cu,鈦Ti和氮化鈦TiN會形成非揮發(fā)性金屬鹵化物副產(chǎn)物,例如六氯化鎢WCl6重新沉積在蝕刻的側(cè)壁上,因顆粒污染或沉積材料導(dǎo)致電氣短路,從而導(dǎo)致產(chǎn)量降低.上海伯東Aston質(zhì)譜儀提供包括腔室和過程,例如指紋識別,腔室清潔,過程監(jiān) -
Aston Impact 高靈敏度質(zhì)譜分析儀 CVD 清洗終點優(yōu)化
上海伯東日本AtonarpAstonImpact高靈敏度質(zhì)譜分析儀,基于四級桿的質(zhì)量分離,Aston質(zhì)譜分析儀設(shè)計緊湊,適用于氣體分析和過程氣體監(jiān)測,滿足半導(dǎo)體工藝過程中,沉積,刻蝕,光刻等氣體分析.Aston質(zhì)譜分析儀CVD清洗終點優(yōu)化選擇clean的反應(yīng)物或者生成物,使用Aston相對定量分析其中的氣體成分,可以動態(tài)判斷CVD清潔過程的刻蝕終點的時間.不論是氣體的節(jié)省和工藝時間的節(jié)省都可以盡可能增大產(chǎn)能.Aston質(zhì)譜分析儀與腔室連接AstonImpact高靈敏度質(zhì)譜分析儀基本參數(shù)型號Ast -
上海伯東美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應(yīng)用
上海伯東美國KRi霍爾離子源EH系列,提供高電流低能量寬束型離子束,KRi霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面,多種型號滿足科研及工業(yè),半導(dǎo)體應(yīng)用.霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率,低能量減少離子轟擊損傷表面,寬束設(shè)計提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū).整體易操作,易維護,安裝于各類真空設(shè)備中,例如e-beam電子束鍍膜機,loadlock,濺射系統(tǒng),分子束外延,脈沖激光沉積等,實現(xiàn)IBAD輔助鍍膜的工藝.KRi霍爾離子源特點高電流低能量寬束型離子束燈絲壽命更長更長的運行時間更清潔的薄膜燈絲安裝在離子源 -
上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料中的預(yù)清洗及刻蝕應(yīng)用
半導(dǎo)體材料(semiconductormaterial)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導(dǎo)纖維、電子工業(yè)的重要部件、光學(xué)儀器、工藝品和耐火材料的原料,是科學(xué)研究的重要材料。本文主要介紹上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料SiO2中的預(yù)清洗及刻蝕應(yīng)用。SiO2預(yù)清洗的原因:SiO2在刻蝕前需要將其表面的有機物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層等去除,且不破壞晶體 -
紅外光學(xué)薄膜器件作為紅外系統(tǒng)重要組成部分,已廣泛應(yīng)用于航空航天、國防、環(huán)保、分析儀器等各個領(lǐng)域.在紅外光學(xué)應(yīng)用中,由于鍺在2~14μm紅外波段內(nèi)有高而均勻的透過率,是一種不可替代的優(yōu)良紅外光學(xué)材料.鍺單晶切片加工成的鍺透鏡及鍺窗和利用鍺單晶透過紅外波長特性制成的各種紅外光學(xué)部件廣泛用于各類紅外光學(xué)系統(tǒng).鍺作為常用的紅外光學(xué)元件材料,具有折射率高、表面反射損失大以及表面易劃傷等特點,因此必須鍍制高性能紅外增透膜,膜層強度差一直是一個難題,其原因是膜層材料結(jié)構(gòu)疏松、易吸潮.因此,加工過程除了選擇好的
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KRi 離子源 e-beam電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用
上海伯東美國KRi考夫曼離子源e-beam電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用上海伯東美國KRi考夫曼離子源KDC系列,通過加熱燈絲產(chǎn)生電子,是典型的考夫曼型離子源,離子源增強設(shè)計輸出低電流高能量寬束型離子束,通過同時的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜,實現(xiàn)輔助鍍膜IBAD.e-beam電子束蒸發(fā)系統(tǒng)加裝KRi離子源作用通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學(xué),以增加表面和原子/分子的流動性,從而導(dǎo)致薄膜的致密化.通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化,從而得到化學(xué) -
KRi離子源常見工藝應(yīng)用通過使用上海伯東美國KRi離子源可以對材料進行加工,真空環(huán)境下,實現(xiàn)沉積薄膜,干式蝕刻和材料表面改性等工藝.KRi離子源常見工藝應(yīng)用工藝應(yīng)用簡稱In-situsubstratepreclean預(yù)清潔PCIon-beammodificationofmaterialandsurfaceproperties材料和表面改性IBSM-Surfacepolishingorsmoothing表面拋光-Surfacenanostructuresandtexturing表面納米結(jié)構(gòu)和紋理-