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      KRi 離子源 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應用

      2023年04月04日 17:00:22人氣:231來源:伯東企業(yè)(上海)有限公司

      上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應用
      上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實現(xiàn)輔助鍍膜 IBAD.

      離子源
       

      e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)加裝 KRi 離子源作用
      通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學, 以增加表面和原子/分子的流動性, 從而導致薄膜的致密化.
      通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學轉化, 從而得到化學計量完整材料.

      使用美國 KRi 考夫曼離子源可以實現(xiàn)
      增強和控制薄膜性能, 薄膜致密化的改進, 控制薄膜化學計量, 提高折射率, 降低薄膜應力, 控制薄膜微觀結構和方向, 提高薄膜溫度和環(huán)境穩(wěn)定性, 增加薄膜附著力, 激活表面, 薄膜界面和表面平滑, 降低薄膜吸收和散射, 增加硬度和耐磨性.


      KRi KDC 考夫曼離子源典型案例:
      設備: e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)
      離子源型號: KDC 75
      應用: IBAD 輔助鍍膜, 在玻璃上鍍上高反射率膜 (光柵的鍍膜)
      離子源對工藝過程的優(yōu)化: 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進行低溫處理, 簡化反應沉積

      上海伯東美國  KRi 離子源適用于各類沉積系統(tǒng) (電子束蒸發(fā)或熱蒸發(fā), 離子束濺射, 分子束外延, 脈沖激光沉積), 實現(xiàn) IBAD 輔助鍍膜

      IBAD輔助鍍膜
       

      美國 KRi KDC 考夫曼型離子源技術參數(shù):

      型號

      KDC 10

      KDC 40

      KDC 75

      KDC 100

      KDC 160

      Discharge 陽極

      DC 電流

      DC 電流

      DC 電流

      DC 電流

      DC 電流

      離子束流

      >10 mA

      >100 mA

      >250 mA

      >400 mA

      >650 mA

      離子動能

      100-1200 V

      100-1200 V

      100-1200 V

      100-1200 V

      100-1200 V

      柵極直徑

      1 cm Φ

      4 cm Φ

      7.5 cm Φ

      12 cm Φ

      16 cm Φ

      離子束

      聚焦, 平行, 散射


      流量

      1-5 sccm

      2-10 sccm

      2-15 sccm

      2-20 sccm

      2-30 sccm

      通氣

      Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

      典型壓力

      < 0.5m Torr

      < 0.5m Torr

      < 0.5m Torr

      < 0.5m Torr

      < 0.5m Torr

      長度

      11.5 cm

      17.1 cm

      20.1 cm

      23.5 cm

      25.2 cm

      直徑

      4 cm

      9 cm

      14 cm

      19.4 cm

      23.2 cm

      中和器

      燈絲

       

      上海伯東美國 KRi 離子源 KDC 系列適用于標準和新興材料工藝. 在原子水平上工作的能力使 KDC 離子源能夠有效地設計具有納米精度的薄膜和表面. 無論是密度壓實, 應力控制, 光學傳輸, 電阻率, 光滑表面, 提高附著力, 垂直側壁和臨界蝕刻深度, KDC 離子源都能產(chǎn)生有益的材料性能. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.

      上海伯東同時提供 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)更高質量的設備.

      1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專li. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域.

      若您需要進一步的了解考夫曼離子源, 請參考以下聯(lián)絡方式
      上海伯東: 羅先生


      關鍵詞:電阻率
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