上海伯東某客戶在熱蒸發(fā)鍍膜機中配置美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40, 進行鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等.

離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD
考夫曼離子源 KDC 40 中心到基片中心距離控制在 300mm, 離子源和基片都設(shè)計為高度可調(diào)節(jié), 客戶可根據(jù)不同的工藝要求選擇合適的角度. 離子源上面做可聯(lián)動控制的蓋板, 在離子源剛啟動時關(guān)閉蓋板, 待離子束流穩(wěn)定后打開蓋板, 對基片做預(yù)清潔和輔助鍍膜等工藝, 保證工藝的穩(wěn)定性和均勻性. 當(dāng)工藝完成后可以技術(shù)關(guān)閉蓋板, 保證離子源不被污染, 延長離子源使用壽命, 降低保養(yǎng)成本.


KRi 離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳?xì)浠衔餁埩?br style="box-sizing: border-box; position: relative;"/>去除化學(xué)吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100?

KRi 離子源輔助鍍膜 IBAD
通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學(xué), 以增加表面和原子/分子的流動性, 從而導(dǎo)致薄膜的致密化.
通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化, 從而得到化學(xué)計量完整材料.

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預(yù)清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

* 可選: 可調(diào)角度的支架

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設(shè)計輸出低電流高能量寬束型離子束, 適用于標(biāo)準(zhǔn)和新興材料工藝. 在原子水平上工作的能力使 KDC 離子源能夠有效地設(shè)計具有納米精度的薄膜和表面. 無論是密度壓實, 應(yīng)力控制, 光學(xué)傳輸, 電阻率, 光滑表面, 提高附著力, 垂直側(cè)壁和臨界蝕刻深度, KDC 離子源都能產(chǎn)生有益的材料性能. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.

上海伯東同時提供熱蒸鍍機所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)更高質(zhì)量的設(shè)備.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專li. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

若您需要進一步的了解考夫曼離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生