功率半導體是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件，能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制作用。功率半導體包括功率半導體分立器件(含模塊)以及功率IC等。其中，功率半導體分立器件按照器件結(jié)構(gòu)可分為二極管、晶閘管和晶體管等。以MOSFET、IGBT以及SiC MOSFET為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同，廣泛應(yīng)用于汽車、充電樁、光伏發(fā)電、風力發(fā)電、消費電子、軌道交通、工業(yè)電機、儲能、航空航天和等眾多領(lǐng)域。

隨著行業(yè)技術(shù)革新和新材料性能發(fā)展，功率半導體器件結(jié)構(gòu)朝復(fù)雜化演進，功率半導體的村底材料朝大尺寸和新材料方向發(fā)展。以SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)為代表的第三代寬禁帶半導體材料迅速發(fā)展，它們通常具有高擊穿電場、高熱導率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、高溫穩(wěn)定性以及可承受大功率等特點，使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件、激光器和探測器等方面展現(xiàn)出巨大的潛力。SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)電力電子器件也逐漸成為功率半導體器件的重要發(fā)展領(lǐng)城。另外，由于不同結(jié)構(gòu)和不同襯底材料的功奉半導體電學性能和成本各有差異，在不同應(yīng)用場景各具優(yōu)勢。市面上傳統(tǒng)的測量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求，但是寬禁帶半導體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術(shù)卻極大擴展了高壓、高速的分布區(qū)間。如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰(zhàn)。

更高精度更高產(chǎn)量

并聯(lián)應(yīng)用要求測試精度提離，確保一致性

終端市場需求量大，要求測試效率提高，UPH提升

更寬泛的測試能力
更寬的測試范圍、更強的測試能力

更大的體二極管導通電壓

更低的比導通電阻

提供更豐富的溫度控制方式

更科學的測試方法

掃描模式對閾值電壓漂移的影響

高壓低噪聲隔離電源的實現(xiàn)

高壓小電流測量技術(shù)、高壓線性功放的研究

低電感回路實現(xiàn)

柔性化測試能力

兼容多種模塊封裝形式

方便更換測試夾具

靈活配置，滿足不同測試需求

PMST系列SiC MOS三代半功率器件測試設(shè)備是武漢普賽斯正向設(shè)計，精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)，是一致能夠提供IV，CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET.  BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試，并具有著越的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。

針對用戶不同測試場最的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)半自動化測試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)全自動化測試系統(tǒng)三款功事器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)。

從實驗室到小批量、大批量產(chǎn)線的全覆蓋

從Si IGBT. SiC MOS到GaN     HEMT的全國蓋

從晶圓、芯片、器件、模塊到PM的全覆蓋

SiC MOS功率器件測試機半導體功率測試設(shè)備特點

高電壓、大電流

具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(Z大可擴展至10kV)

具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián))

高精度測量

納安級漏電流,  μΩ級導通電阻

0.1%精度測量

模塊化配置

可根據(jù)實際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預(yù)留升級空間,后期可添加或升級測量單元

測試效率高

內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測試項目自動切換電路與測量單元

支持國標全指標的一鍵測試

 擴展性好

支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具

硬件特色與性能優(yōu)勢

大電流輸出響應(yīng)快，無過沖

采用自主開發(fā)的高性能脈沖式大電流源、高壓源，輸出建立過程響應(yīng)快、無過沖。測試過程中，大電流典型上升時間為15us,脈寬在50-500μs之間可調(diào)。采用脈沖大電流的測試方式，可有效降低器件因自身發(fā)熱帶來的誤差。

高壓測試支持恒壓限流，恒流限壓模式

采用自主開發(fā)的高性能高壓源，輸出建立與斷開響應(yīng)快、無過沖。在擊穿電壓測試中，可設(shè)定電流限制或者電壓限值，防止器件因過壓或過流導致?lián)p壞。

工作原理

傳統(tǒng)測試系統(tǒng)的搭建，通常需要切換測試儀表和器件連接方式才能完成功率器件I-V和C-V整體參數(shù)測試，而PMST功率器件靜態(tài)物數(shù)測試系統(tǒng)內(nèi)置專用開關(guān)矩陣，根據(jù)測試項目自動切換電路與測量單元，同時可靈活定制各種夾具，從而可以實現(xiàn)I-V和C-V全參數(shù)的一鍵化測試。只需要設(shè)置好測試條件，將器件故置在測試夾具中，就可以幫助您快速高效且晶準的完成測試工作。

SiC MOS三代半功率器件測試設(shè)備訂貨信息