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      大功率器件測試儀器+功率半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

      參考價 1000
      訂貨量 ≥1
      具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
      • 品       牌普賽斯儀表
      • 型       號PMST-3500V
      • 所  在  地武漢市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時間2024/7/11 9:20:31
      • 訪問次數(shù)366
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            武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司,一直專注于半導(dǎo)體的性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)銷售,致力于滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測試用科學(xué)儀器的國產(chǎn)替代需求。

            基于普賽斯電子嶺先的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺優(yōu)勢,公司自主研發(fā)了高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國產(chǎn)化電性能測試儀表,以及mini LED測試系統(tǒng)、電流傳感器測試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測試精度高、速度快、兼容性強(qiáng)、測試范圍寬、可靠性高、操作簡便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測試、集成電路測試、高校教學(xué)實訓(xùn)平臺等應(yīng)用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案,同時滿足行業(yè)對測試效率、測試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)模化的挑戰(zhàn)。

      普賽斯儀表自主研制的國產(chǎn)化數(shù)字源表,可作為電壓源和或電流源并同步測量電流和或電壓,支持四象限工作。作為國內(nèi)嶺跑的半導(dǎo)體電性能測試儀表提供商,普賽斯儀表憑借長期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴(yán)格的質(zhì)量體系及國際化視野,推出的產(chǎn)品被國內(nèi)通信巨圖和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認(rèn)可和應(yīng)用,是為數(shù)不多進(jìn)入國際半導(dǎo)體測試市場供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測試設(shè)備廠商。未來,公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨,朝著圈球半導(dǎo)體電性能測試儀表的嶺跑者邁進(jìn)。




      數(shù)字源表,脈沖恒流源,脈沖恒壓源,高壓源,大功率激光器老化系統(tǒng),功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)
      普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段,實現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對大功率器件測試儀器+功率半導(dǎo)體參數(shù)分析儀感興趣,歡迎隨時聯(lián)系我們!
      大功率器件測試儀器+功率半導(dǎo)體參數(shù)分析儀 產(chǎn)品信息

      功率半導(dǎo)體是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件,能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制作用。功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件(含模塊)以及功率IC等。其中,功率半導(dǎo)體分立器件按照器件結(jié)構(gòu)可分為二極管、晶閘管和晶體管等。

      以MOSFET、IGBT以及SiC MOSFET為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同,廣泛應(yīng)用于汽車、充電樁、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、消費電子、軌道交通、工業(yè)電機(jī)、儲能、航空航天和等眾多領(lǐng)域。



      隨著行業(yè)技術(shù)革新和新材料性能發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)朝復(fù)雜化演進(jìn),功率半導(dǎo)體的村底材料朝大尺寸和新材料方向發(fā)展。以SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料迅速發(fā)展,它們通常具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、高溫穩(wěn)定性以及可承受大功率等特點,使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件、激光器和探測器等方面展現(xiàn)出巨大的潛力。SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)電力電子器件也逐漸成為功率半導(dǎo)體器件的重要發(fā)展領(lǐng)城。另外,由于不同結(jié)構(gòu)和不同襯底材料的功奉半導(dǎo)體電學(xué)性能和成本各有差異,在不同應(yīng)用場景各具優(yōu)勢。



      功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)流程,主要包括設(shè)計驗證、晶圓制造、封裝測試三個主要環(huán)節(jié),其中,每一個生產(chǎn)環(huán)節(jié)又包含若干復(fù)雜的工藝制程。


      大功率器件測試儀器+功率半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

      PMST系列大功率器件測試儀器+功率半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯正向設(shè)計,精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng),是一致能夠提供IV,CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計、輕松升級擴(kuò)展等優(yōu)勢,旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET.  BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試,并具有著的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。



      針對用戶不同測試場景的使用需求,普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)半自動化測試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)全自動化測試系統(tǒng)三款功事器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)。

      大功率器件測試儀器+功率半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

      產(chǎn)品特點


      高電壓、大電流


      具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(最大可擴(kuò)展至10kV)


      具有大電流測量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))




      高精度測量


      納安漏電流,  μΩ級導(dǎo)通電阻


      0.1%精度測量




      模塊化配置


      可根據(jù)實際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預(yù)留升級空間,后期可添加或升級測量單元




      測試效率高


      內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測試項目自動切換電路與測量單元


      支持國標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測試




      擴(kuò)展性好


      支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具


      大功率器件測試儀器+功率半導(dǎo)體參數(shù)分析儀測試項目
      集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
      集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
      柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
      輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
      續(xù)流二極管壓降Vf
      I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等


      武漢普賽斯儀表有限公司,是一家專注于半導(dǎo)體的電性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品,專注于第三代半導(dǎo)體測試,提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。

      未來,普賽斯儀表基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測試方案,以更優(yōu)的測試能力、更準(zhǔn)確的測量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測試能力,聯(lián)合更多行業(yè)客戶,共同助力我國第三代半導(dǎo)體行業(yè)高可靠高質(zhì)量發(fā)展。






      關(guān)鍵詞:晶體管 功率器件 IGBT
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