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      功率半導體參數(shù)測試設備+分析儀器

      參考價 1000
      訂貨量 ≥1
      具體成交價以合同協(xié)議為準
      • 公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
      • 品       牌普賽斯儀表
      • 型       號PMST-2200V
      • 所  在  地武漢市
      • 廠商性質生產廠家
      • 更新時間2024/8/26 9:40:37
      • 訪問次數(shù)310
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            武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術有限公司的全資子公司,一直專注于半導體的性能測試儀表的開發(fā)、生產銷售,致力于滿足半導體領域從材料、晶圓到器件測試用科學儀器的國產替代需求。

            基于普賽斯電子嶺先的光學與光電技術、微弱信號處理與抗干擾技術、高速數(shù)字信號處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術平臺優(yōu)勢,公司自主研發(fā)了高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國產化電性能測試儀表,以及mini LED測試系統(tǒng)、電流傳感器測試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等。產品以其測試精度高、速度快、兼容性強、測試范圍寬、可靠性高、操作簡便以及快捷靈活的響應式服務等優(yōu)勢,廣泛應用于新型半導體器件材料分析、半導體分立器件測試、集成電路測試、高校教學實訓平臺等應用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅動程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構建自定義解決方案,同時滿足行業(yè)對測試效率、測試精度、供應鏈安全以及規(guī)?;奶魬?zhàn)。

      普賽斯儀表自主研制的國產化數(shù)字源表,可作為電壓源和或電流源并同步測量電流和或電壓,支持四象限工作。作為國內嶺跑的半導體電性能測試儀表提供商,普賽斯儀表憑借長期的技術創(chuàng)新、精益的生產制造、嚴格的質量體系及國際化視野,推出的產品被國內通信巨圖和多家之名半導體企業(yè)認可和應用,是為數(shù)不多進入國際半導體測試市場供應鏈體系的半導體電性能測試設備廠商。未來,公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質的產品與Z貼心的服務”為宗旨,朝著圈球半導體電性能測試儀表的嶺跑者邁進。




      數(shù)字源表,脈沖恒流源,脈沖恒壓源,高壓源,大功率激光器老化系統(tǒng),功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)
      近年來IGBT成為電力電子領域中尤為矚目的電力電子器件,并得到越來越廣泛的應用,那么IGBT的測試就變的尤為重要了。lGBT的測試包括靜態(tài)參數(shù)測試、動態(tài)參數(shù)測試、功率循環(huán)、HTRB可靠性測試等,這些測試中蕞基本的測試就是靜態(tài)參數(shù)測試。功率半導體參數(shù)測試設備+分析儀器就找普賽斯儀表
      功率半導體參數(shù)測試設備+分析儀器 產品信息

      功率半導體參數(shù)測試設備+分析儀器


      800V架構帶來的直接性能提升,疊加供給端、應用端、成本端多重利好,推動新能源汽車成為SiC未來5年核心應用陣地。


      功率半導體參數(shù)測試設備+分析儀器




      IGBT功率半導體器件主要測試參數(shù)


      近年來IGBT成為電力電子領域中尤為矚目的電力電子器件,并得到越來越廣泛的應用,那么IGBT的測試就變的尤為重要了。lGBT的測試包括靜態(tài)參數(shù)測試、動態(tài)參數(shù)測試、功率循環(huán)、HTRB可靠性測試等,這些測試中蕞基本的測試就是靜態(tài)參數(shù)測試。


      隨著半導體制程工藝不斷提升,測試和驗證也變得更加重要。通常,主要的功率半導體器件特性分為靜態(tài)特性、動態(tài)特性、開關特性。靜態(tài)參數(shù)特性主要是表征器件本征特性指標,與工作條件無關的相關參數(shù),如很多功率器件的的靜態(tài)直流參數(shù)(如擊穿電壓V(BR)DSS、漏電流I  CES/IDSS/IGES/IGSS、閾值電壓VGS(th)、跨導Gfs、壓降VF 、導通內阻RDS(on))等。     功率半導體器件是一種復合全控型電壓驅動式器件,兼有高輸入阻抗和低導通壓降兩方面的優(yōu)點;同時半導體功率器件的芯片屬      于電力電子芯片,需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下,對芯片的可靠性要求較高,這給測試帶來了一定的困難。市面      上傳統(tǒng)的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求,但是寬禁帶半導體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術卻      極大擴展了高壓、高速的分布區(qū)間。如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性,這就對器件的測試工具提出更    為嚴苛的挑戰(zhàn)。



      普賽斯IGBT功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)測試解決方案


      PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設計、精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng),是一款能夠提供IV、CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優(yōu)勢,旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試,并具有優(yōu)秀的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。功率半導體參數(shù)測試設備+分析儀器就找普賽斯儀表


      針對用戶不同測試場景的使用需求,普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)產線半自動化測試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)產線全自動化測試系統(tǒng)三款功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)。


      功率半導體參數(shù)測試設備+分析儀器

      功率半導體參數(shù)測試設備+分析儀器

      從實驗室到小批量、大批量產線的全覆蓋

      從Si IGBT、SiC MOS到GaN  HEMT的全覆蓋

      從晶圓、芯片、器件、模塊到IPM的全覆蓋


      產品特點

      1、高電壓、大電流

      具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(蕞大可擴展至10kV)

      具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián))


      2、高精度測量

      納安漏電流,μΩ級導通電阻

      0.1%精度測量

      四線制測試


      3、模塊化配置

      可根據(jù)實際測試需要靈活配置多種測量單元

      系統(tǒng)預留升級空間,后期可添加或升級測量單元


      4、測試效率高

      內置專用開關矩陣,根據(jù)測試項目自動切換電路與測量單元

      支持國標全指標的一鍵測試


      5、軟件功能豐富

      上位機自帶器件標準參數(shù)測試項目模板,可直接調取使用

      支持曲線繪制

      自動保存測試數(shù)據(jù),并支持EXCEL格式導出

      開放的標準SCPI指令集,可與第三方系統(tǒng)集成


      6、擴展性好

      支持常溫及低溫、高溫測試

      可靈活定制各種夾具

      可與探針臺,溫箱等第三方設備聯(lián)動使用



      功率半導體參數(shù)測試設備+分析儀器特色與性能優(yōu)勢


      1、大電流輸出響應快,無過沖


      采用自主開發(fā)的高性能脈沖式大電流源、高壓源,輸出建立過程響應快、無過沖。測試過程中,大電流典型上升時間為15μs,   脈寬在50~500μs之間可調。采用脈沖大電流的測試方式,可有 效降低器件因自身發(fā)熱帶來的誤差。


      2、高壓測試支持恒壓限流,恒流限壓模式


      采用自主開發(fā)的高性能高壓源,輸出建立與斷開響應快、無過沖。在擊穿電壓測試中,可設定電流限制或者電壓限值,防止      器件因過壓或過流導致?lián)p壞。


      功率半導體參數(shù)測試設備+分析儀器




      規(guī)格參數(shù)


      功率半導體參數(shù)測試設備+分析儀器




      功率半導體參數(shù)測試設備+分析儀器
















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