納米材料高溫原位表征及測試方案

通過MEMS芯片在原位樣品臺內(nèi)對樣品構建精細熱場自動調(diào)通過MEMS芯片在原位樣品臺內(nèi)對樣品構建精細熱場自動調(diào)控及反饋測量系統(tǒng)，并結合TEM/SEM研究材料在不同熱場條件下發(fā)生結構相變、形貌變化、物性變化以及電性變化等關鍵信息。

測試面臨的挑戰(zhàn)：

傳統(tǒng)的二線制電阻測量方式容易引入附加誤差，降低MEMS芯片控溫的晶準度。材料測試所能承受的電流超小，低至nA甚至pA，測試設備需要具備小電流的測量能力。

普賽斯S/P系列源表為原位表征提供晶準熱場控制及電性能測量:
標配四線制測量端口;
提供多個電流量程，量程越低，精度越高;
蕞低1pA電流分辨率，源測精度高達0.03%。

武漢普賽斯是國內(nèi)醉早生產(chǎn)源表的廠家，產(chǎn)品系列豐富：產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產(chǎn)品已經(jīng)過了市場的考驗，市場應用率高；SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，直流更大、精度更高、準確度提升至±0.03%，直流電流升級至3A，PX00B系列蕞大脈沖輸出電流達30A，蕞大輸出電壓達300V，支持四象限工作，可為半導體行業(yè)提供更加精準、穩(wěn)定的測試方案，歡迎隨時咨詢！