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更多>本科生微電子器件及材料實驗?zāi)康?/strong>
通過實驗動手操作,加深對半導(dǎo)體物理理論知識的理解,掌握半導(dǎo)體材料和不同器件性能的表征方法及基本實驗技能,培養(yǎng)分析問題和解決問題的能力。
本科生微電子器件及材料實驗?zāi)夸?/strong>
實驗一:金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管特性IV特性測試實驗
實驗二:四探針法測量半導(dǎo)體電阻率測試實驗
實驗三: MOS電容的CV特性測試實驗
實驗四:半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試實驗實驗
實驗五:激光二極管LD的LIV特性測試實驗
實驗六:太陽能電池的特性表征實驗
本科生微電子器件及材料實驗測試平臺優(yōu)勢
滿足本科生基礎(chǔ)教學(xué)實驗中微電子器件和材料測試需求
測試設(shè)備簡單易用,專業(yè)全威,方便學(xué)生動手操作
核心設(shè)備測試精度高,滿足新材料和新器件的指標(biāo)要求
測試軟件功能齊全,平臺化設(shè)計,有專人維護(hù)支持,與專業(yè)測試軟件使用相同架構(gòu)
以基礎(chǔ)平臺為起點,可逐步升級,滿足日益增加的實驗室測試需求
本科生微電子器件及材料實驗測試平臺基本功能
實驗名稱 | 測試參數(shù) |
金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管特性的IV特性測試實驗 | l 輸出特性曲線 l 轉(zhuǎn)移特性曲線 l 跨導(dǎo)gm l 擊穿電壓BVDS |
四探針法測量半導(dǎo)體電阻率測試實驗
| l 四探針法電阻率ρ l 材料阻值R |
MOS電容的CV特性測試實驗(低頻 + 高頻) | l CV特性曲線 |
半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試實驗 | l 霍爾電壓VH l 霍爾電阻率ρ l 霍爾系數(shù)RH l 載流子濃度n l 霍爾遷移率u |
激光二極管LD的LIV特性測試
| l LIV特性曲線 l 閾值電流Ith l 閾值電流對應(yīng)電壓值Vth l 拐點Kink l 線性電阻Rs |
太陽能電池的特性表征
| l 開路電壓Voc l 短路電流Isc l 功率最大值Pmax l 填充因子FF l 轉(zhuǎn)換效率η l 串聯(lián)電阻Rs l 旁路電阻Rsh |
本科生微電子器件及材料實驗測試平臺核心
測試平臺的核心– 源測量單元(源表, SMU)
普賽斯國產(chǎn)源表四表合一 四象限模式
四線/開爾文測試功能
小信號測試
滿足先進(jìn)器件和材料測試需求
交流測試使用LCR表
探針臺:4寸或6寸手動探針臺
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2025成都國際無人系統(tǒng)(機(jī))技術(shù)及設(shè)備展覽會
展會城市:成都市展會時間:2025-10-10