采真空接觸曝光圖形解析可達(dá)1um,
近接曝光依光罩與晶圓間隙可達(dá)3~5um。
德?lián)P光電有限公司
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更新時(shí)間:2023-06-23 18:15:23瀏覽次數(shù):243次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來自 智能制造網(wǎng)產(chǎn)品簡(jiǎn)介: 雙面曝光曝光機(jī)采用上及下兩組曝光源,欲曝光機(jī)基板夾于上下光罩之間同時(shí)曝基板上下兩面,對(duì)雙面制程之基板之產(chǎn)能, 能兩倍于單面曝光制程。
雙面曝光曝光機(jī)采用上及下兩組曝光源,
欲曝光機(jī)基板夾于上下光罩之間同時(shí)曝基板上下兩面,
對(duì)雙面制程之基板之產(chǎn)能, 能兩倍于單面曝光制程。
紫外光源功率350W or 500W
曝光光源尺寸:4″,5″,6″ , 8″
波長(zhǎng): UV(350W時(shí)365nm強(qiáng)度約16~20mW/cm2)
均勻度: +-5%電源供應(yīng)器:定功率控制
快門控制計(jì)時(shí)器:0.1~999.9秒
采用可變倍率鏡頭影像系統(tǒng),總影像倍率100X-600X。
小型高解析黑白CCD攝影機(jī),19"LCD螢?zāi)籐ED同軸光源打光,
影像解析度可達(dá)1um鏡頭位置調(diào)整,可前后左右上下微調(diào)約20mm,
可選擇使用一組或兩組影像系統(tǒng),選配快速掃描臺(tái),可快速移動(dòng)鏡頭,前后左右移動(dòng)約10cm。
光罩真空吸盤: 4",5" 或 6"下吸式
晶圓真空吸盤: 破片2",3",4" 或5"
具光罩與晶圓平行面校正功能,
晶圓真空吸盤可前后左右調(diào)整約10mm,調(diào)整靈敏度1um
旋轉(zhuǎn)調(diào)整約5度,調(diào)整靈敏度0.001度
Z軸可調(diào)整約3mm, 調(diào)整靈敏度1um
Z軸具千分表可顯示光罩與晶圓間距,Z軸可設(shè)定對(duì)準(zhǔn)與曝光兩種間隙,可調(diào)整接觸真空吸附力大小
曝光模式有Vacuum contact,Soft contact,Proximity 人工置放晶片與調(diào)整晶片位置,取放晶圓時(shí)光罩吸盤以手開啟 。
人工置放晶片與調(diào)整晶片位置,取放晶圓時(shí)光罩吸盤以手開啟。
采全手動(dòng)撥鈕操作系統(tǒng),以手動(dòng)控制面板操作
操作項(xiàng)目包括光罩與晶圓之更換,光罩與晶圓間隙之切換
光罩與晶圓平行面校正,真空接觸之切換與真空值調(diào)整
Z軸的歸零,鏡頭與曝光源左右交替移至對(duì)準(zhǔn)臺(tái)上方,并有安全互鎖功能。
桌上型大底板機(jī)座,具調(diào)整腳。
采真空接觸曝光圖形解析可達(dá)1um,
近接曝光依光罩與晶圓間隙可達(dá)3~5um。
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