深圳瑞兆來(lái)科技有限公司
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經(jīng)營(yíng)模式：經(jīng)銷(xiāo)商
商鋪產(chǎn)品：21條
所在地區(qū)：廣東深圳市
聯(lián)系人：方奕珊 （銷(xiāo)售經(jīng)理）
詳細(xì)摘要： 英飛凌反激式拓?fù)洚a(chǎn)品順應(yīng)當(dāng)下和未來(lái)反激式拓?fù)洚a(chǎn)品的趨勢(shì)而開(kāi)發(fā)——全新 700V CoolMOS™ P7 超結(jié) MOSFET 系列產(chǎn)品具有比目前所使用...
產(chǎn)品型號(hào)：IPA70R600P7S所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-06-21 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 英飛凌反激式拓?fù)洚a(chǎn)品順應(yīng)當(dāng)下和未來(lái)反激式拓?fù)洚a(chǎn)品的趨勢(shì)而開(kāi)發(fā)——全新 700V CoolMOS™ P7 超結(jié) MOSFET 系列產(chǎn)品具有比目前所使用...
產(chǎn)品型號(hào)：IPA70R360P7S所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-06-21 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 1200 V，8 A 硬開(kāi)關(guān) TRENCHSTOP™ 第三代 IGBT，與定續(xù)流二極管聯(lián)合封裝到 TO247封裝中，結(jié)合溝槽柵和場(chǎng)終止概念，顯著改善...
產(chǎn)品型號(hào)：IKW08T120所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-06-21 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： IR MOSFET系列功率MOSFET采用經(jīng)驗(yàn)證的硅工藝，為設(shè)計(jì)師提供了廣泛的設(shè)備組合，以支持各種應(yīng)用，如直流電機(jī)、逆變器、開(kāi)關(guān)電源、照明、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及電池供電...
產(chǎn)品型號(hào)：IRFP260MPBF所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-06-21 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的...
產(chǎn)品型號(hào)：IKW15N120T2所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-06-21 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 600 V, 50 A IGBT，采用反并聯(lián)二極管，TO-247 封裝600 V、50 A 硬開(kāi)關(guān) TRENCHSTOP™ IGBT3，采用TO24...
產(chǎn)品型號(hào)：IKW50N60T所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-06-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 600V CoolMOS™ C3 替代產(chǎn)品是CoolMOS™ P7600V CoolMOS™ C3 是英飛凌第三個(gè) Cool...
產(chǎn)品型號(hào)：SPW47N60C3所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-06-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： FET類(lèi)型：N 通道漏源電壓（Vdss）：600 V漏極電流(Id)：12 A漏源導(dǎo)通電阻(RDS On)：280 m?耗散功率：53 W配置類(lèi)型：Single...
產(chǎn)品型號(hào)：IPD60R280P7S所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-06-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： -55V 單個(gè) P 通道 IR MOSFET, 采用 D-Pak 封裝IR MOSFET系列功率MOSFET采用經(jīng)驗(yàn)證的硅工藝，為設(shè)計(jì)師提供了廣泛的設(shè)備組合，以...
產(chǎn)品型號(hào)：IRFR9024NTRPBF所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-06-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： Infineon 英飛凌專(zhuān)注于迎接現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn)： 高能效、 移動(dòng)性和 安全性，為汽車(chē)和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的...
產(chǎn)品型號(hào)：IRLR8726TRLPBF所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-06-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 30V 單個(gè) N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封裝Infineon 英飛凌專(zhuān)注于迎接現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn)： 高能效、 移...
產(chǎn)品型號(hào)：IRLR8726TRPBF所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-06-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： IRFS7530TRL7PP 是一款60V單N溝道HEXFET® 功率MOSFET, 采用Trench MOSFET技術(shù)實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性...
產(chǎn)品型號(hào)：IRFS7530TRL7PP所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-06-09 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 電子管-場(chǎng)效應(yīng)管-IRFS7440TRLPBF-infineon/英飛凌-TO-263功能概述針對(duì)分銷(xiāo)合作伙伴提供的廣泛的可用性進(jìn)行了優(yōu)化根據(jù)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行...
產(chǎn)品型號(hào)：IRFS7440TRLPBF所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-06-09 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 60V 單個(gè) N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封裝
產(chǎn)品型號(hào)：IRFS7537TRLPBF所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-06-09 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 75V 單個(gè) N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 7 (TO-263-7)引腳封裝，它基于*的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化，兼具...
產(chǎn)品型號(hào)：IRFS7730TRL7PP所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-06-09 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 75V 單個(gè) N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封裝優(yōu)勢(shì)優(yōu)化分銷(xiāo)合作伙伴的廣泛可用性根據(jù) JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行產(chǎn)品驗(yàn)證針對(duì)...
產(chǎn)品型號(hào)：IRFS7730TRLPBF所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-06-09 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 英飛凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以為高效率、高功率密度的 SMPS 提供解決方案。與下一代出色技術(shù)相比，該系列在 R D...
產(chǎn)品型號(hào)：IPB027N10N3GATMA1所在地：深圳市更新時(shí)間：2022-06-06 在線(xiàn)留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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