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深圳瑞兆來科技有限公司
參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號IPB027N10N3GATMA1
品 牌英飛凌/Infineon
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所 在 地深圳市
聯(lián)系方式:方奕珊查看聯(lián)系方式
更新時間:2022-06-06 13:25:25瀏覽次數(shù):285次
聯(lián)系我時,請告知來自 智能制造網(wǎng)封裝 | TO263-3 | 批次 | 2202+ |
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英飛凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以為高效率、高功率密度的 SMPS 提供解決方案。與下一代出色技術(shù)相比,該系列在 R Ds(on)和 FOM(品質(zhì)因數(shù))方面均降低了30%。
特征描述
優(yōu)異的開關(guān)性能
世界較低的 (R Ds(on))
極低的 Qg 和 Qgd
出色的柵極電荷 x R DS(on)產(chǎn)品(FOM)
符合 RoHS 標準 - 無鹵素
MSL1 評級
品牌: | INFINEON |
型號: | IPB027N10N3GATMA1 |
封裝: | TO263-3 |
造商: | Infineon |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安裝風格: | SMD/SMT |
封裝 / 箱體: | PG-TO-263-3 |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
晶體管極性: | N-Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 100 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 120 A |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 2.7 mOhms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | 10 V |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 2 V |
Qg-柵極電荷: | 155 nC |
工作溫度: | - 55°C +175°C |
Pd-功率耗散: | 300 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 4.4 mm |
長度: | 10 mm |
系列: | OptiMOS 3 |
晶體管類型: | 1 N-Channel |
寬度: | 9.25 mm |
正向跨導(dǎo) - 最小值: | 94 S |
下降時間: | 28 ns |
上升時間: | 58 ns |
典型關(guān)閉延遲時間: | 84 ns |
典型接通延遲時間: | 34 ns |
零件號別名: | IPB027N10N3 G SP000506508 IPB27N1N3GXT |
單位重量: | 2 g |
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