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深圳瑞兆來科技有限公司
參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號IRFS7730TRLPBF
品 牌英飛凌/Infineon
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所 在 地深圳市
聯(lián)系方式:方奕珊查看聯(lián)系方式
更新時(shí)間:2022-06-09 15:25:58瀏覽次數(shù):413次
聯(lián)系我時(shí),請告知來自 智能制造網(wǎng)封裝 | TO-263 | 晶體管類型 | 場效應(yīng)晶體管 |
---|---|---|---|
批次: | 1916+ |
75V 單個(gè) N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封裝
優(yōu)勢
優(yōu)化分銷合作伙伴的廣泛可用性
根據(jù) JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行產(chǎn)品驗(yàn)證
針對10V柵極驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行了優(yōu)化(稱為正常電平)
硅片針對低于<100KHz的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
與上一代產(chǎn)品相比,體二極管更加柔軟
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)通表面安裝功率封裝
高電流承載能力封裝(高達(dá)195A,芯片面積可變化)
可用于波焊
型號: | IRFS7730TRLPBF |
制造商: | Infineon |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
晶體管極性: | N-Channel |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 75 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 195 A |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 2.6 mOhms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 3.7 V |
Qg-柵極電荷: | 271 nC |
工作溫度: | - 55 C + 175 C |
Pd-功率耗散: | 375 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
下降時(shí)間: | 115 ns |
正向跨導(dǎo) - 最小值: | 249 S |
高度: | 2.3 mm |
長度: | 6.5 mm |
上升時(shí)間: | 120 ns |
晶體管類型: | 180 ns |
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: | 21 ns |
典型接通延遲時(shí)間: | 6.22 mm |
寬度: | IRFS7730TRLPBF SP001557578 |
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