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深圳瑞兆來科技有限公司
參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號IRLR8726TRPBF
品 牌英飛凌/Infineon
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所 在 地深圳市
聯(lián)系方式:方奕珊查看聯(lián)系方式
更新時間:2022-06-10 09:38:40瀏覽次數(shù):519次
聯(lián)系我時,請告知來自 智能制造網(wǎng)封裝 | TO-252 | 晶體管類型 | 場效應(yīng)晶體管 |
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批次 | 2123+ |
30V 單個 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封裝
Infineon 英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握技術(shù)。
型號: | IRLR8726TRPBF |
封裝: | TO-252 |
制造商: | Infineon |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技術(shù): | Si |
安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
晶體管極性: | N-Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 30 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 86 A |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 8 mOhms |
Vgs -柵極-源極電壓: | 20 V |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 2.35 V |
Qg-柵極電荷: | 15 nC |
工作溫度: | - 55 C + 175 C |
Pd-功率耗散: | 75 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 2.3 mm |
長度: | 6.5 mm |
晶體管類型: | 1 N-Channel |
類型: | HEXFET Power MOSFET |
寬度: | 6.22 mm |
商標(biāo): | Infineon Technologies |
正向跨導(dǎo)-最小值: | 73 S |
下降時間: | 16 ns |
產(chǎn)品類型: | MOSFET |
上升時間: | 49 ns |
工廠包裝數(shù)量: | 2000 |
子類別: | MOSFETs |
典型關(guān)閉延遲時間: | 15 ns |
典型接通延遲時間: | 12 ns |
零件號別名: | SP001573108 |
單位重量: | 530 mg |
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