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      行業(yè)產(chǎn)品

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      深圳瑞兆來(lái)科技有限公司


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      IGBT晶體管

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      參  考  價(jià)面議
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

      產(chǎn)品型號(hào)IKW15N120T2

      品       牌英飛凌/Infineon

      廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

      所  在  地深圳市

      聯(lián)系方式:方奕珊查看聯(lián)系方式

      更新時(shí)間:2022-06-21 15:00:11瀏覽次數(shù):392次

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      經(jīng)營(yíng)模式:經(jīng)銷商

      商鋪產(chǎn)品:21條

      所在地區(qū):廣東深圳市

      聯(lián)系人:方奕珊 (銷售經(jīng)理)

      產(chǎn)品簡(jiǎn)介
      封裝 TO-247 批號(hào) 21+ 2106+

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

      詳細(xì)介紹

      IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上;

            IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn),此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見(jiàn).

       

       

      1200 V IGBT,采用反并聯(lián)二極管,TO-247 封裝

       

      1200 V,15 A 硬開(kāi)關(guān) TRENCHSTOP™ 第四代 IGBT,與定續(xù)流二極管聯(lián)合封裝到 TO-247  封裝中,結(jié)合溝槽柵和場(chǎng)終止概念,顯著改善器件靜態(tài)及動(dòng)態(tài)性能。IGBT 與軟恢復(fù)發(fā)射極控制二極管相結(jié)合,進(jìn)一步降低接通損耗。在開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗之間做出優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)高效率。

       

      特征描述

      •      低 VCEsat 壓隆,降低傳導(dǎo)損耗

      •      低開(kāi)關(guān)損耗

      •      VCEsat 具備正溫度系數(shù),實(shí)現(xiàn)輕松并聯(lián)開(kāi)關(guān)能力

      •      極軟、快速恢復(fù)防并聯(lián)發(fā)射極控制二極管

      •      高穩(wěn)健性和溫度穩(wěn)定性

      •      低 EMI 排放

      •      低柵極電荷

      •      參數(shù)分布非常緊湊

       

      優(yōu)勢(shì)

      •      高效率 – 低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗

      •      豐富的 600 V 和 1200 V 產(chǎn)品組合,支持靈活設(shè)計(jì)

      •      器件高可靠性

       

      應(yīng)用領(lǐng)域

      •      不間斷電源(UPS)

      •      電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)

      •      太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案

       

      品牌:

      INFINEON

      型號(hào):

      IKW15N120T2

      制造商:

      Infineon

      產(chǎn)品種類:

      IGBT 晶體管

      RoHS

      封裝

      TO-247

      安裝風(fēng)格:

      Through Hole

      配置:

      Single

      集電極發(fā)射極電壓 VCEO

      1200 V

      集電極射極飽和電壓:

      2.2 V

      柵極/發(fā)射極電壓:

      20 V

      25 C的連續(xù)集電極電流:

      30 A

      Pd-功率耗散:

      235 W

      工作溫度:

      - 40 C + 175 C

      系列:

      Trenchstop IGBT3

      集電極連續(xù)電流 Ic

      30 A

      柵極射極漏泄電流:

      600 nA

       

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