產品簡介
脈沖電子束沉積(Pulsed Electron Deposition)系統(tǒng)能發(fā)射高能脈沖(100ns) 電子束( 約1000 A,15 keV) 在靶材上穿透將近1 um,使靶材快速蒸發(fā)形成等離子體。在靶材上的非平衡提?。疲┠苁沟入x子體的組成與靶材的化學計量組成一致。在最\佳條件下,靶材的化學計量與沉積薄膜可以保持一致。所有的固態(tài)材料如金屬、半導體和絕緣體等都可以用PED 技術沉積各自的薄膜。
產品特點
* 獨立的交鑰匙脈沖電子束沉積系統(tǒng)PED
* 外延薄膜沉積,多層異質結構(heterostructures)與超晶格
* 氧化物薄膜沉積時氧氣兼容
* 升級選項:離子輔助PED, 連續(xù)組份沉積PED, 進樣系統(tǒng)load-lock
* 可附加的沉積源:脈沖激光與射頻/ 直流濺射
* 集成XPS/ARPES UHV 集群系統(tǒng),原位高真空基片傳送系統(tǒng)
脈沖電子束沉積系統(tǒng)PED沉積的代表性材料示例
* 高溫超導(HTS) YBCO( 和GdBCO) 薄膜
* 順電(Ba-SrTiO3) 薄膜
* 金屬氧化物(SrRuO3) 薄膜
* 隔熱/ 音玻璃(SiO2) 膜和Al2O3 膜
* 聚四氟乙烯(PTFE) 薄膜
技術指標
真空腔 | 18" 直徑的球形腔體 8"CF 窗口 6.75"CF PED 源窗口 3 個6"CF 窗 額外的2.75" 與1.33"CF 窗口 | PED源 | 電子槍能量:8-20 keV 脈沖能量:大能量800 mJ 小能量100 mJ 工藝氣體壓強: 3-20 mTorr 工藝氣體: 氧氣,氮氣,氬氣 脈沖能量變化: ±10% 脈沖寬度: 100 ns 大重復率: 10Hz at 15kV,5Hz at 20kV 小束截面: 8 x10-2 cm2 大能量密度 :1.3 x 108 W/cm2 Z 向對準范圍: 50 mm XY 向對準范偉: +/- 20 mm 火花塞壽命 ~3x107 脈沖 |
基片加熱器 | 大直徑2",小10x10mm2 大溫度:850 ℃ 基片旋轉:1-30 RPM(360° 旋轉) 基片加熱器:兼容1 個大氣壓的氧壓 加熱器溫度通過可編程的PID 控制 | ||
多靶材旋轉臺 | 6 個1" 的靶材或3 個2" 的靶材 靶材旋轉:360° 連續(xù)旋轉(1-20 RPM) 靶材柵格式掃描 *的靶材柵格化燒蝕方案 靶材索引,鍍多層薄膜 靶材高度可調 靶材擋板避免靶材間的交叉污染 提供連續(xù)組成擴展/ 組合PED 的能力 | PED系統(tǒng)軟件 | Windows 7, LabVIEW 2013 控制基片加熱臺 控制靶材公轉臺 控制真空泵 控制質量流量計? 外部的PED 源觸發(fā)器 可選的工藝自動化選項 |
真空泵 | 干泵,渦輪分子泵 本底真空壓強:標準配置8 x 10-8 Torr 渦輪分子泵轉速由軟件控制 |