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      wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備

      參考價(jià) 1000
      訂貨量 ≥1臺(tái)
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
      • 品       牌普賽斯儀表
      • 型       號(hào)PMST-3500V
      • 所  在  地武漢市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時(shí)間2024/10/9 9:28:39
      • 訪問次數(shù)218
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            武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司,一直專注于半導(dǎo)體的性能測(cè)試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)銷售,致力于滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測(cè)試用科學(xué)儀器的國產(chǎn)替代需求。

            基于普賽斯電子嶺先的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號(hào)處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號(hào)處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì),公司自主研發(fā)了高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國產(chǎn)化電性能測(cè)試儀表,以及mini LED測(cè)試系統(tǒng)、電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測(cè)試精度高、速度快、兼容性強(qiáng)、測(cè)試范圍寬、可靠性高、操作簡便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測(cè)試、集成電路測(cè)試、高校教學(xué)實(shí)訓(xùn)平臺(tái)等應(yīng)用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案,同時(shí)滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)?;奶魬?zhàn)。

      普賽斯儀表自主研制的國產(chǎn)化數(shù)字源表,可作為電壓源和或電流源并同步測(cè)量電流和或電壓,支持四象限工作。作為國內(nèi)嶺跑的半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表提供商,普賽斯儀表憑借長期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴(yán)格的質(zhì)量體系及國際化視野,推出的產(chǎn)品被國內(nèi)通信巨圖和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認(rèn)可和應(yīng)用,是為數(shù)不多進(jìn)入國際半導(dǎo)體測(cè)試市場(chǎng)供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測(cè)試設(shè)備廠商。未來,公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨,朝著圈球半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表的嶺跑者邁進(jìn)。




      數(shù)字源表,脈沖恒流源,脈沖恒壓源,高壓源,大功率激光器老化系統(tǒng),功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
      普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表咨詢
      wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備 產(chǎn)品信息

      普賽斯wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試解決方案

          PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng),是一款能夠提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì),旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試,并具有優(yōu)秀的測(cè)量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。


         針對(duì)用戶不同測(cè)試場(chǎng)景的使用需求,普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線半自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線全自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)三款功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。

      wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備

      wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備


      從實(shí)驗(yàn)室到小批量、大批量產(chǎn)線的全覆蓋 

      從Si IGBT、SiC MOS到GaN  HEMT的全覆蓋 

      從晶圓、芯片、器件、模塊到IPM的全覆蓋

      wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備

      wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備特點(diǎn)

      1、高電壓、大電流

      具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(蕞大可擴(kuò)展至10kV)

      具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))


      2、高精度測(cè)量

      納安級(jí)漏電流,μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻 

      0.1%精度測(cè)量 

      四線制測(cè)試


      3、模塊化配置

      可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元

      系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間,后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元


      4、測(cè)試效率高

      內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元 

      支持國標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試


      5、軟件功能豐富

      上位機(jī)自帶器件標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)測(cè)試項(xiàng)目模板,可直接調(diào)取使用

      支持曲線繪制

      自動(dòng)保存測(cè)試數(shù)據(jù),并支持EXCEL格式導(dǎo)出

      開放的標(biāo)準(zhǔn)SCPI指令集,可與第三方系統(tǒng)集成


      6、擴(kuò)展性好

      支持常溫及低溫、高溫測(cè)試

      可靈活定制各種夾具

      可與探針臺(tái),溫箱等第三方設(shè)備聯(lián)動(dòng)使用


      測(cè)試項(xiàng)目
      集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
      集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
      柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
      輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
      續(xù)流二極管壓降Vf
      I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等


      測(cè)試夾具

      針對(duì)市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品,普賽斯提供  

      整套測(cè)試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試。

       

      普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。如果您對(duì)wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備感興趣,歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們




      關(guān)鍵詞:功率器件 IGBT
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