半導(dǎo)體分立器件根據(jù)基材不同,可分為不同類型。以硅基半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等；以寬禁帶材料半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括:SiC.GaN半導(dǎo)體功率器件。

接下來(lái)我們重點(diǎn)介紹應(yīng)用Z廣泛的二極管、三極管及MOS管的特性及其電性能測(cè)試要點(diǎn)。

1、二極管

二極管是一種使用半導(dǎo)體材料制作而成的單向?qū)щ娦栽骷?產(chǎn)品結(jié)構(gòu)一般為單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu),只允許電流從單一方向流過(guò)。發(fā)展至今,已陸續(xù)發(fā)展出整流二極管、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、PIN二極管、光電二極管等,具有安全可靠等特性。

器件特性：結(jié)壓降、不能變，伏安特性要會(huì)看，正阻強(qiáng)大反阻軟，測(cè)量全憑它來(lái)管。

測(cè)試要點(diǎn)：正向壓降測(cè)試(VF)、反向擊穿電壓測(cè)試(VR)、C-V特性測(cè)試

2、三極管

三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié),兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分,中間部分是基區(qū),兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。

器件特性：三極管，不簡(jiǎn)單，幾個(gè)特性要記全，輸入輸出有曲線，各自不同有深淺。

測(cè)試要點(diǎn)：輸入/輸出特性測(cè)試、極間反向電流測(cè)試、反向擊穿電壓測(cè)試(VR)、C-V特性測(cè)試

3、MOS管

MOSFET(金屬―氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制其電流大小的常見(jiàn)半導(dǎo)體器件,可以廣泛應(yīng)用在模擬電路和數(shù)字電路當(dāng)中。MOSFET可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳納米管等材料制作,是材料及器件研究的熱點(diǎn)。主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓VGs(th)、漏電流lGss、lDss,擊穿電壓VDss、低頻互導(dǎo)gm、輸出電阻RDs等。

器件特性：箭頭向里，指向N，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管;箭頭向外，指向P，P溝道場(chǎng)效應(yīng)管。

測(cè)試要點(diǎn)：輸入/輸出特性測(cè)試、閾值電壓測(cè)試VGS(th)、漏電流測(cè)試、耐壓測(cè)試、C-V測(cè)試

所以，何為電性能測(cè)試？如何用半導(dǎo)體器件參數(shù)分析儀器進(jìn)行測(cè)試？

半導(dǎo)體分立器件電性能測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件施加電壓或電流,然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng),通傳統(tǒng)的分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,如數(shù)字萬(wàn)用表、電壓源、電流源等。

實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是“五合一”數(shù)字源表(SMU)，集多種功能于一體。

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