TO-247 M系列封裝中的200V單N溝道功率MOSFET
特征描述
寬SOA的平面單元結(jié)構(gòu)
針對分銷合作伙伴提供的廣泛的可用性進行了優(yōu)化
根據(jù)JEDEC標準進行產(chǎn)品鑒定
硅優(yōu)化用于低于100kHz的切換應(yīng)用
行業(yè)標準通孔電源組件
高電流額定值
優(yōu)勢
增強耐用性
分發(fā)合作伙伴的廣泛可用性
行業(yè)標準資質(zhì)等級
低頻應(yīng)用中的高性能
標準插腳允許插入式更換
高載流能力
型號: | IRFP260MPBF |
封裝: | TO-247 |
類別: | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管- FET,MOSFET -單個 |
制造商: | Infineon Technologies |
系列: | HEXFET® |
FET類型: | N通道 |
漏源電壓(Vdss): | 200 V |
25°C時電流-連續(xù)漏極(Id): | 50A(Tc) |
驅(qū)動電壓(Rds On): | 10V |
不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻值): | 40毫歐@ 28A,10V |
不同Id時Vgs(th): | 4V @ 250µA |
不同Vgs時柵極電荷 (Qg): | 234 nC @ 10 V |
Vgs: | ±20V |
不同Vds時輸入電容(Ciss): | 4057 pF @ 25 V |
功率耗散: | 300W(Tc) |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安裝類型: | 通孔 |