優(yōu)化超結(jié) MOSFET 兼具高能效和易用性
600V CoolMOS™ P7 超結(jié) (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后續(xù)產(chǎn)品。該產(chǎn)品繼續(xù)在設計過程中的高效率與易用性之間保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平臺具有同類中較為出色的R onxA 和固有低柵極電荷 (Q G),確保高效率。
特征描述
效率
• 600V P7 支持優(yōu)異 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G
使用方便
• 集成 ESD 二極管,從 180mN 起且高于 R DS(on)s
• 集成柵極電阻器 R G
• 堅固體二極管
• 涵蓋通孔和表面封裝的豐富產(chǎn)品線
• 標準級和工業(yè)級部件可供選擇
優(yōu)勢
效率
• 優(yōu)異 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss,實現(xiàn)更高效率
使用方便
• 避免 ESD 故障,在制造環(huán)境中確保易用性
• 集成 R G 降低 MOSFET 振蕩敏感度
• MOSFET 適用于 PFC 和 LLC 等硬開關(guān)拓撲和諧振開關(guān)拓撲
• 在 LLC 拓撲中體二極管通信中具有優(yōu)異穩(wěn)健性
• 廣泛適用于各種終端應用和輸出功率
• 可選部件適用于消費和工業(yè)應用
潛在應用
• 電視電源
• 工業(yè) SMPS
• 服務器
• 通信
• 照明