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      集成電路、場效應(yīng)管

      參考價面議
      具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱深圳瑞兆來科技有限公司
      • 品       牌英飛凌/Infineon
      • 型       號IRLR8726TR
      • 所  在  地深圳市
      • 廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
      • 更新時間2022/6/10 9:38:40
      • 訪問次數(shù)531
      產(chǎn)品標(biāo)簽:

      場效應(yīng)管

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      深圳瑞兆來科技有限公司代理分銷原裝:ST、 IR、NXP、TI、ON、TOSHIBA、 VISHAY、SHARP、EVERLIGHT億光(代理)、等品牌電子元件。 主營原裝:三端穩(wěn)壓管、可控硅、場效應(yīng)管/MOS管、光耦、功率管/IGBT管、電源IC、穩(wěn)壓管、家電IC、音響功放、肖特基、快恢復(fù)管、二三極管等電子元件。 廣泛應(yīng)用于:電動自行車、摩托車點(diǎn)火器、電子鎮(zhèn)流器、負(fù)離子直發(fā)器、豆?jié){機(jī)、攪拌機(jī)、電風(fēng)扇、電磁爐、電吹風(fēng)、電飯鍋、熱水壺、加濕器、遙控器、LED燈、圣誕燈、節(jié)能燈、應(yīng)急燈、UPS電源、空調(diào)、冰箱、充電器……

      主營范圍: 深圳瑞兆來科技有限公司本著忠誠客戶、誠信待人的宗旨,以滿足客戶需求并超越為目標(biāo)。一直以現(xiàn)貨、龐大的庫存和優(yōu)惠價格為保障。香港、深圳分別設(shè)有公司,代為客戶在香港、大陸兩地交貨,為客戶提供更多的便利。 公司代理分銷DIP SMD、二極管、三極管、穩(wěn)壓管系列、場效應(yīng)管、單雙向可控硅、達(dá)林頓管、三端穩(wěn)壓管、光電耦合器、觸發(fā)二極管、大功率三極管(對管)、IC集成電路等電子元器件。 公司發(fā)展 以來,得到新老客戶的大力支持與關(guān)懷,從公司內(nèi)部管理,產(chǎn)品質(zhì)量控制保證,售前售后服務(wù)系統(tǒng)得到全面的完善提高,更好的確保了我們滿足新老客戶的需求。 我們將繼往開來,以更大的信心為您提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和滿意的服務(wù),竭誠希望新老客戶的和社會各界朋友惠顧,鼎立支持,攜手共進(jìn),謝謝!



      電子元器件,二三極管,芯片IC,ST品牌單片機(jī)
      封裝 TO-252 晶體管類型 場效應(yīng)晶體管
      批次 2123+
      30V 單個 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封裝
      Infineon 英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握技術(shù)。
      集成電路、場效應(yīng)管 產(chǎn)品信息

      型號:

      IRLR8726TRPBF

      封裝:

      TO-252

      制造商:

      Infineon

      產(chǎn)品種類:

      MOSFET

      RoHS:

      技術(shù):

      Si

      安裝風(fēng)格:

      SMD/SMT

      通道數(shù)量:

      1 Channel

      晶體管極性:

      N-Channel

      Vds-漏源極擊穿電壓:

      30 V

      Id-連續(xù)漏極電流:

      86 A

      Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:

      8 mOhms

      Vgs -柵極-源極電壓:

      20 V

      Vgs th-柵源極閾值電壓:

      2.35 V

      Qg-柵極電荷:

      15 nC

      工作溫度:

      - 55 C + 175 C

      Pd-功率耗散:

      75 W

      配置:

      Single

      通道模式:

      Enhancement

      高度:

      2.3 mm

      長度:

      6.5 mm

      晶體管類型:

      1 N-Channel

      類型:

      HEXFET Power MOSFET

      寬度:

      6.22 mm

      商標(biāo):

      Infineon Technologies

      正向跨導(dǎo)-最小值:

      73 S

      下降時間:

      16 ns

      產(chǎn)品類型:

      MOSFET

      上升時間:

      49 ns

      工廠包裝數(shù)量:

      2000

      子類別:

      MOSFETs

      典型關(guān)閉延遲時間:

      15 ns

      典型接通延遲時間:

      12 ns

      零件號別名:

      SP001573108

      單位重量:

      530 mg



      關(guān)鍵詞:晶體管
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