特征描述
• 特定導通電阻低(RDS(on)* A)
• 輸出電容為(E oss)@ 400V 時,能量儲存非常低
• 低柵極電荷(Qg)
• 經過實踐認證的 CoolMOS™ 質量
• 自1998年以來,英飛凌就開始大規(guī)模開發(fā)CoolMOS™ 技術
優(yōu)勢
• 高效率,高功率密度
• 超高成本/性能比
• 高可靠性
• 使用方便
潛在應用
• 服務器
• 通信
• 消費品
• 計算機電源
• 適配器
型號: | SPW47N60C3 |
封裝: | TO-247 |
制造商: | Infineon |
產品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安裝風格: | Through Hole |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
晶體管極性: | N-Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 600 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 47 A |
Rds On-漏源導通電阻: | 70 mOhms |
Vgs -柵極-源極電壓: | 10 V |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 2.1 V |
Qg-柵極電荷: | 252 nC |
工作溫度: | - 55 C + 150 C |
Pd-功率耗散: | 415 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 21.1 mm |
長度: | 16.13 mm |
系列: | CoolMOS C3 |
晶體管類型: | 1 N-Channel |
寬度: | 5.21 mm |
下降時間: | 8 ns |
上升時間: | 27 ns |
典型關閉延遲時間: | 111 ns |
典型接通延遲時間: | 18 ns |