30V 單個(gè) N通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封裝
優(yōu)勢(shì)
針對(duì)分銷合作伙伴提供廣泛的可用性進(jìn)行了優(yōu)化
根據(jù)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行產(chǎn)品鑒定
針對(duì)5 V柵極驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行了優(yōu)化
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)表面安裝電源組件
可進(jìn)行波焊
型號(hào): | IRLR8726TRLPBF |
封裝: | TO-252 |
制造商: | Infineon |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
封裝 / 箱體: | TO-252-3 |
晶體管極性: | N-Channel |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 30 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 86 A |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 5.8 mOhms |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 2.35 V |
Qg-柵極電荷: | 15 nC |
工作溫度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 75 W |
配置: | Single |
高度: | 2.3 mm |
長度: | 6.5 mm |
晶體管類型: | 1 N-Channel |
寬度: | 6.22 mm |
正向跨導(dǎo) - 最小值: | 73 S |
下降時(shí)間: | 16 ns |
上升時(shí)間: | 49 ns |
單位重量: | 4 g |