品牌: | INFINEON |
型號: | IPB027N10N3GATMA1 |
封裝: | TO263-3 |
造商: | Infineon |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
封裝 / 箱體: | PG-TO-263-3 |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
晶體管極性: | N-Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 100 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 120 A |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 2.7 mOhms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | 10 V |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 2 V |
Qg-柵極電荷: | 155 nC |
工作溫度: | - 55°C +175°C |
Pd-功率耗散: | 300 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 4.4 mm |
長度: | 10 mm |
系列: | OptiMOS 3 |
晶體管類型: | 1 N-Channel |
寬度: | 9.25 mm |
正向跨導(dǎo) - 最小值: | 94 S |
下降時間: | 28 ns |
上升時間: | 58 ns |
典型關(guān)閉延遲時間: | 84 ns |
典型接通延遲時間: | 34 ns |
零件號別名: | IPB027N10N3 G SP000506508 IPB27N1N3GXT |
單位重量: | 2 g |