7針D2 Pak封裝中的60V單N溝道HEXFET功率MOSFET
針對分銷合作伙伴提供的廣泛的可用性進(jìn)行了優(yōu)化
根據(jù)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行產(chǎn)品鑒定
針對10 V柵極驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行了優(yōu)化(稱為正常電平)
硅優(yōu)化用于低于100 kHz的切換應(yīng)用
與上一代硅相比,更柔軟的體二極管
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)表面安裝電源組件
與D2PAK(相同模具尺寸)相比,額定電流更高(23%)
高載流能力封裝(高達(dá)240 A,取決于芯片尺寸)
品牌: | INFINEON |
型號: | IRFS7530TRL7PP |
封裝: | TO-263-7 |
安裝類型: | 表面貼裝型 |
封裝/外殼: | TO-263-7,D2Pak(6 引線 + 接片) |
類別: | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè) |
制造商: | Infineon Technologies |
FET 類型: | N 通道 |
漏源電壓(Vdss): | 60 V |
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): | 240A(Tc) |
驅(qū)動(dòng)電壓(Rds On): | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻: | 1.4 毫歐 @ 100A,10V |
不同 Id 時(shí) Vgs(th): | 3.7V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg): | 354 nC @ 10 V |
Vgs: | ±20V |
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss): | 12960 pF @ 25 V |
功率耗散: | 375W(Tc) |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |