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      碳化硅雪崩能量測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體

      參考價(jià) 11000
      訂貨量 ≥1
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱西安智盈電氣科技有限公司
      • 品       牌其他品牌
      • 型       號(hào)ZY-Drr
      • 所  在  地西安市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時(shí)間2025/4/26 11:09:13
      • 訪問次數(shù)80
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      西安智盈電氣科技有限公司,是一家從事功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的技術(shù)企業(yè),坐落于陜西省西安市西咸新區(qū)。核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)備的研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要有:參數(shù)測(cè)試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測(cè)試 等);雪崩能力測(cè)試,老化及可靠性。參數(shù)測(cè)試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù);動(dòng)態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測(cè)試等);老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管)參數(shù)測(cè)試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù)測(cè)試;動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試 ;浪涌參數(shù)測(cè)試;老化及可靠性測(cè)試(高溫阻斷);熱阻參數(shù)測(cè)試品以高度集成化、智能化、高速超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等。

      西安智盈電氣科技有限公司,是一家從事功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的技術(shù)企業(yè),坐落于陜西省西安市西咸新區(qū)。核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)備的研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要有:參數(shù)測(cè)試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測(cè)試 等);雪崩能力測(cè)試,老化及可靠性。參數(shù)測(cè)試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù);動(dòng)態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測(cè)試等);老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管)參數(shù)測(cè)試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù)測(cè)試;動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試 ;浪涌參數(shù)測(cè)試;老化及可靠性測(cè)試(高溫阻斷);熱阻參數(shù)測(cè)試品以高度集成化、智能化、高速超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等。


      參數(shù)測(cè)試設(shè)備: 靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測(cè)試 等);雪崩能力測(cè)試,老化及可靠性。 參數(shù)測(cè)試設(shè)備: 靜態(tài)參數(shù);動(dòng)態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測(cè)試等);老化及可靠性 二管及可控硅/晶閘管)參數(shù)測(cè)試設(shè)備: 靜態(tài)參數(shù)測(cè)試;動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試 ;浪涌參數(shù)測(cè)試;老化及可靠性測(cè)試(高溫阻斷);熱阻參數(shù)測(cè)試 產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等
      碳化硅雪崩能量測(cè)試設(shè)備,是專門設(shè)計(jì)測(cè)試IGBT、二極管、MOS管測(cè)試設(shè)備,對(duì)于那些在應(yīng)用過程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用,就要考慮器件的雪崩能量,電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定。碳化硅雪崩能量測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體
      碳化硅雪崩能量測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體 產(chǎn)品信息

      一、 產(chǎn)品簡(jiǎn)介   碳化硅雪崩能量測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體

      n 碳化硅雪崩能量測(cè)試設(shè)備,是專門設(shè)計(jì)測(cè)試IGBT、二極管、MOS管測(cè)試設(shè)備,對(duì)于那些在應(yīng)用過程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用,就要考慮器件的雪崩能量,電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,因此對(duì)于反激的應(yīng)用,電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下,功率器件都會(huì)降額,從而留有足夠的電壓余量。但是,一些電源在輸出短路時(shí),初級(jí)中會(huì)產(chǎn)生較大的電流,加上初級(jí)電感,器件就會(huì)有雪崩損壞的可能,因此在這樣的應(yīng)用條件下,就要考慮器件的雪崩能量。另外,由于一些電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載,而啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過程中會(huì)產(chǎn)生極的沖擊電流,因此也要考慮器件的雪崩能量。

      n  該設(shè)備主要組成單元有:示波器、程控電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)程控系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測(cè)試夾具、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)適配器等

      設(shè)備優(yōu)勢(shì)

      n  采用示波器實(shí)時(shí)采集記錄測(cè)試波形,通過高精度、高帶寬的柔性電流探頭、高壓探頭直接采集被測(cè)器件的雪崩電壓和雪崩電流測(cè)試數(shù)據(jù)。測(cè)試結(jié)果真實(shí)準(zhǔn)確。

      n  任意電感值采用程控切換方式,測(cè)試過程自動(dòng)快速。

      n  設(shè)備具有二極管測(cè)試和MOS/IGBT自關(guān)斷測(cè)試兩種工作模式。

      n  整體采用輪式機(jī)柜集成測(cè)試,具有簡(jiǎn)潔的人機(jī)交互界面(計(jì)算機(jī))和良好的保護(hù)措施,操作簡(jiǎn)單,移動(dòng)方便等特點(diǎn)。

      n  波形具有實(shí)時(shí)顯示和保存功能,測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)可轉(zhuǎn)化excel進(jìn)行保存處理。

      二、 使用要求

      l  進(jìn)線電壓:     AC220V±10%

      l  功率消耗;     1.5KW

      三、 技術(shù)指標(biāo)

      l  電源電壓:10-200V 分辨率1V,誤差3%

      l  雪崩電壓:100-3500V 實(shí)測(cè)范圍值(根據(jù)客戶要求可定制)

      l  雪崩能量:實(shí)測(cè)1-100J 實(shí)測(cè)計(jì)算值

      l  雪崩電流:1.0-200A 實(shí)測(cè)值。分辨率1V,誤差3%(根據(jù)客戶要求可定制測(cè)試范圍)

      l  電感: 0.1-100mH任選測(cè)試值,測(cè)試過程自動(dòng)執(zhí)行,誤差5%

      l  雪崩電壓波形:近似方波

      l  脈沖寬度:10uS-10000uS

      l  測(cè)試頻率:?jiǎn)未巍⒉竭M(jìn)

      ( 江蘇功率器件生產(chǎn)廠家)

      碳化硅雪崩能量測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體











      關(guān)鍵詞:功率器件 IGBT
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