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IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

參考價(jià)	￥ 12000
訂貨量	≥1套

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱(chēng)西安智盈電氣科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)ZY-Drr
所在地西安市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2025/3/21 15:38:54
訪問(wèn)次數(shù)13

產(chǎn)品標(biāo)簽:

IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

西安智盈電氣科技有限公司，是一家從事功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的技術(shù)企業(yè)，坐落于陜西省西安市西咸新區(qū)。核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)備的研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要有：參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù)（開(kāi)通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；雪崩能力測(cè)試，老化及可靠性。參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開(kāi)通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管）參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試；浪涌參數(shù)測(cè)試；老化及可靠性測(cè)試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測(cè)試品以高度集成化、智能化、高速超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等。

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參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù)（開(kāi)通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；雪崩能力測(cè)試，老化及可靠性。參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開(kāi)通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管）參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試；浪涌參數(shù)測(cè)試；老化及可靠性測(cè)試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測(cè)試產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢(xún)價(jià)

IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀的基本原理是在一個(gè)工頻半周內(nèi)對(duì)被測(cè)元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個(gè)半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測(cè)量它的動(dòng)態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。

IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀產(chǎn)品信息

一. 功能簡(jiǎn)介

IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀的基本原理是在一個(gè)工頻半周內(nèi)對(duì)被測(cè)元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個(gè)半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測(cè)量它的動(dòng)態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。

IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀是對(duì)元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測(cè)試，已被國(guó)內(nèi)廣大用戶所接受。

本試驗(yàn)臺(tái)可對(duì)器件的室溫特性及正向壓降等幾個(gè)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，試驗(yàn)臺(tái)在試驗(yàn)時(shí)，可根據(jù)需要對(duì)試驗(yàn)時(shí)間進(jìn)行設(shè)定，試驗(yàn)臺(tái)有平均漏電流顯示，并具有保護(hù)功能。

二. 技術(shù)條件：

1．適用范圍：

本電源適用于300A以下的模塊型整流二極管及模塊型晶閘管的性能考核。本實(shí)驗(yàn)臺(tái)的測(cè)試方法參照原行業(yè)全動(dòng)態(tài)測(cè)試方法。

2．動(dòng)態(tài)測(cè)試的技術(shù)指標(biāo)：

1）平均電流ITAV：低檔：約20—50A 精度±5% 分辨率1A

gaodang：約50—300A 精度±5% 分辨率1A

指針表顯示

電流波形為近似正選半波，導(dǎo)通角170°左右

阻斷電壓波形為底寬10mS的正弦半波

電流調(diào)節(jié)：手動(dòng)調(diào)壓器

2）平均壓降：VTAV=0.1—2.5V 精度±3% 分辨率0.01 V

指針表顯示