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可控硅動(dòng)態(tài)關(guān)斷時(shí)間測(cè)試設(shè)備

參考價(jià)	￥ 10000
訂貨量	≥1套

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱西安智盈電氣科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)ZY-Drr
所在地西安市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2025/3/21 15:25:04
訪問(wèn)次數(shù)15

產(chǎn)品標(biāo)簽:

可控硅動(dòng)態(tài)關(guān)斷時(shí)間測(cè)試設(shè)備可控硅動(dòng)態(tài)關(guān)斷時(shí)間測(cè)試

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

西安智盈電氣科技有限公司，是一家從事功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的技術(shù)企業(yè)，坐落于陜西省西安市西咸新區(qū)。核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)備的研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要有：參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；雪崩能力測(cè)試，老化及可靠性。參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管）參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試；浪涌參數(shù)測(cè)試；老化及可靠性測(cè)試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測(cè)試品以高度集成化、智能化、高速超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等。

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參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；雪崩能力測(cè)試，老化及可靠性。參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管）參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試；浪涌參數(shù)測(cè)試；老化及可靠性測(cè)試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測(cè)試產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

可控硅動(dòng)態(tài)關(guān)斷時(shí)間測(cè)試設(shè)備主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測(cè)試。

可控硅動(dòng)態(tài)關(guān)斷時(shí)間測(cè)試設(shè)備產(chǎn)品信息

可控硅動(dòng)態(tài)關(guān)斷時(shí)間測(cè)試設(shè)備主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測(cè)試。

本技術(shù)規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試臺(tái)（下面簡(jiǎn)稱測(cè)試臺(tái)），規(guī)定了測(cè)試臺(tái)的主要技術(shù)要求，參數(shù)范圍，操作流程，試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則等。

本技術(shù)規(guī)范并未對(duì)一切技術(shù)細(xì)節(jié)做出規(guī)定，所提供的貨物應(yīng)符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范中所提要求。

1. 引用標(biāo)準(zhǔn)[濱1]

GB/T 15291-2015 半導(dǎo)體器件第6部分：晶閘管

JB/T 7624-2013 整流二極管測(cè)試方法

JB/T 7626-2013 反向阻斷三極晶閘管測(cè)試方法

以及國(guó)標(biāo)、IEC、IEEE相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，以上標(biāo)準(zhǔn)均執(zhí)行新版本。如本技術(shù)規(guī)范與上述各標(biāo)準(zhǔn)之間有矛盾，則應(yīng)滿足較高標(biāo)準(zhǔn)。

2. 技術(shù)要求

序號(hào)	項(xiàng)目	參數(shù)	備注
1	常規(guī)開通	通態(tài)電流	范圍：200-10000A，連續(xù)可調(diào)；
主電容電壓	范圍：300-7000V，連續(xù)可調(diào)；
導(dǎo)通電流寬度設(shè)定范圍	10μs-5ms
上升時(shí)間測(cè)量范圍	0.01-20μs±3%±0.05μs
開通反饋延遲時(shí)間測(cè)量范圍	0.01-20μs±3%±0.05μs
開通延遲時(shí)間測(cè)量范圍	0.01-20μs±3%±0.05μs
開通能量測(cè)量范圍	0.01-200J±3%±0.1J
開通di/dt測(cè)量范圍	10-5000A/μs±3%±10A/μs
2	常規(guī)關(guān)斷	關(guān)斷電流	范圍：200-10000A，連續(xù)可調(diào)；
關(guān)斷反饋延遲時(shí)間測(cè)量范圍	0.01-20μs±3%±0.05μs
關(guān)斷延遲時(shí)間測(cè)量范圍	0.01-40μs±3%±0.05μs
關(guān)斷能量測(cè)量范圍	0.01-1000J±3%±0.1J
斷態(tài)電壓上升率測(cè)量范圍	10-5000V/μs±3%±10V/μs
斷態(tài)電流下降率測(cè)量范圍	10-10000A/μs±3%±10A/μs
*主回路寄生電感	≤300nH
3	極限關(guān)斷	關(guān)斷電流	范圍：＜20000A；	設(shè)備能力
4	數(shù)據(jù)采集和處理單元	示波器	帶寬不低于500MHz，采樣率不低于6.5Gs/s
試品控制方式	光纖控制

2.1. 自動(dòng)恒溫壓力夾具

序號(hào)	項(xiàng)目	參數(shù)	備注
1	工作方式	自動(dòng)，氣動(dòng)
2	壓力范圍	10～130KN；分辨率0.1 KN，精度±5%±1KN。
3	溫度控制范圍	70～180℃，分辨率0.1℃；	高壓陽(yáng)極控溫器采用非接觸式測(cè)溫