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      功率半導(dǎo)體標準動態(tài)特性測試系統(tǒng)

      參考價 120000
      訂貨量 ≥1
      具體成交價以合同協(xié)議為準
      • 公司名稱西安智盈電氣科技有限公司
      • 品       牌其他品牌
      • 型       號ZY-Drr
      • 所  在  地西安市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時間2025/3/21 15:16:58
      • 訪問次數(shù)12
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      西安智盈電氣科技有限公司,是一家從事功率半導(dǎo)體測試設(shè)備自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的技術(shù)企業(yè),坐落于陜西省西安市西咸新區(qū)。核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測試設(shè)備的研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要有:參數(shù)測試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù),動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測試 等);雪崩能力測試,老化及可靠性。參數(shù)測試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù);動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測試等);老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管)參數(shù)測試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù)測試;動態(tài)參數(shù)測試 ;浪涌參數(shù)測試;老化及可靠性測試(高溫阻斷);熱阻參數(shù)測試品以高度集成化、智能化、高速超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計、制造、封裝廠商及高校研究所等。

      西安智盈電氣科技有限公司,是一家從事功率半導(dǎo)體測試設(shè)備自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的技術(shù)企業(yè),坐落于陜西省西安市西咸新區(qū)。核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測試設(shè)備的研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要有:參數(shù)測試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù),動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測試 等);雪崩能力測試,老化及可靠性。參數(shù)測試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù);動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測試等);老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管)參數(shù)測試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù)測試;動態(tài)參數(shù)測試 ;浪涌參數(shù)測試;老化及可靠性測試(高溫阻斷);熱阻參數(shù)測試品以高度集成化、智能化、高速超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計、制造、封裝廠商及高校研究所等。


      參數(shù)測試設(shè)備: 靜態(tài)參數(shù),動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測試 等);雪崩能力測試,老化及可靠性。 參數(shù)測試設(shè)備: 靜態(tài)參數(shù);動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測試等);老化及可靠性 二管及可控硅/晶閘管)參數(shù)測試設(shè)備: 靜態(tài)參數(shù)測試;動態(tài)參數(shù)測試 ;浪涌參數(shù)測試;老化及可靠性測試(高溫阻斷);熱阻參數(shù)測試 產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計、制造、封裝廠商及高校研究所等
      功率半導(dǎo)體標準動態(tài)特性測試系統(tǒng)主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測試。
      功率半導(dǎo)體標準動態(tài)特性測試系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

      功率半導(dǎo)體標準動態(tài)特性測試系統(tǒng)

      功率半導(dǎo)體標準動態(tài)特性主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測試。

      本技術(shù)規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導(dǎo)體標準動態(tài)特性測試臺(下面簡稱測試臺),規(guī)定了測試臺的主要技術(shù)要求,參數(shù)范圍,操作流程,試驗方法及檢驗規(guī)則等。

      本技術(shù)規(guī)范并未對一切技術(shù)細節(jié)做出規(guī)定,所提供的貨物應(yīng)符合工業(yè)標準和本技術(shù)規(guī)范中所提要求。

      1.         引用標準[濱1] 

      GB/T 15291-2015 半導(dǎo)體器件 第6部分:晶閘管

      JB/T 7624-2013 整流二極管測試方法

      JB/T 7626-2013 反向阻斷三極晶閘管測試方法

      以及國標、IEC、IEEE相關(guān)標準,以上標準均執(zhí)行新版本。如本技術(shù)規(guī)范與上述各標準之間有矛盾,則應(yīng)滿足較高標準。

       


       

      2.         技術(shù)要求   功率半導(dǎo)體標準動態(tài)特性測試系統(tǒng)

      序號

      項目

      參數(shù)

      備注


      1              

      常規(guī)開通

      通態(tài)電流

      范圍:200-10000A,連續(xù)可調(diào);


      主電容電壓

      范圍:300-7000V,連續(xù)可調(diào);




      導(dǎo)通電流寬度設(shè)定范圍

      10μs-5ms




      上升時間測量范圍

      0.01-20μs±3%±0.05μs




      開通反饋延遲時間測量范圍

      0.01-20μs±3%±0.05μs




      開通延遲時間測量范圍

      0.01-20μs±3%±0.05μs




      開通能量測量范圍

      0.01-200J±3%±0.1J




      開通di/dt測量范圍

      10-5000A/μs±3%±10A/μs




      2              

      常規(guī)關(guān)斷

      關(guān)斷電流

      范圍:200-10000A,連續(xù)可調(diào);


      關(guān)斷反饋延遲時間測量范圍

      0.01-20μs±3%±0.05μs




      關(guān)斷延遲時間測量范圍

      0.01-40μs±3%±0.05μs




      關(guān)斷能量測量范圍

      0.01-1000J±3%±0.1J




      斷態(tài)電壓上升率測量范圍

      10-5000V/μs±3%±10V/μs




      斷態(tài)電流下降率測量范圍

      10-10000A/μs±3%±10A/μs




      *主回路寄生電感

      ≤300nH




      3              

      極限關(guān)斷

      關(guān)斷電流

      范圍:<20000A;

      設(shè)備能力

      4              

      數(shù)據(jù)采集和處理單元

      示波器

      帶寬不低于500MHz,采樣率不低于6.5Gs/s


      試品控制方式

      光纖控制




      2.1.         自動恒溫壓力夾具

      序號

      項目

      參數(shù)

      備注

      1

      工作方式

      自動,氣動


      2

      壓力范圍

      10~130KN;分辨率0.1 KN,精度±5%±1KN。


      3

      溫度控制范圍

      70~180℃,分辨率0.1℃;

       

      高壓陽極控溫器采用非接觸式測溫


      (重慶科研院所檢測)

       [濱1]梳理本技術(shù)規(guī)格書引用到的標準


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