● 適用于氮化硅工藝 – 標(biāo)準(zhǔn)和低應(yīng)力工藝
● 適用于摻雜、非摻雜多晶硅工藝
● 適用于摻雜、非摻雜 TEOS 工藝
● 適用于摻雜、非摻雜 LTO/ HTO
● 支持 6 ~ 12 寸的晶圓
● 有保證的工藝指標(biāo)
● 可提供所有標(biāo)準(zhǔn)工藝和定制化工藝
主要系統(tǒng)特性
● 在一個系統(tǒng)中進(jìn)行原位氧化和多晶沉積
● 提供固有和原位摻雜聚工藝
● 高批量負(fù)載
● 高達(dá) 210mm 的晶圓尺寸
客戶利益
● 的鈍化 iVoc > 整個負(fù)載下 730 mW
● 通過高系統(tǒng)吞吐量實(shí)現(xiàn)低的 CoO
● 在大批量生產(chǎn)中久經(jīng)考驗(yàn)的 TOPCon 生產(chǎn)解決方案