電子束蒸發(fā)鍍膜
E-beam Evaporation
在真空環(huán)境下用聚焦電子束加熱的方式將材料加熱到蒸發(fā),真空腔室內(nèi)的基片和襯底表面會形成薄膜或涂層,此過程被稱為真空熱蒸鍍,加熱材料的方式主要有熱舟式和坩堝式。
電子束蒸發(fā)原理圖
由于電子束轟擊的局域加熱特性,使得高熔點材料也可以得到有效加熱,電子束蒸發(fā)在熱蒸發(fā)的基礎(chǔ)上,可實現(xiàn)高熔點材料的鍍膜,例如導(dǎo)電金屬,Ti, Pt, Mo, W 等,也可以用于介質(zhì)材料的鍍膜,SiO2, TiO2, Al2O3, 還有鍵能較高的氮化物TiN,AlN 等。電子束蒸發(fā)相比于熱蒸發(fā)具有更高的靈活性和材料覆蓋能力,用戶僅需選擇蒸發(fā)工位容量和數(shù)量即可。
電子束蒸發(fā)特點
系統(tǒng)的自動控制采用的是石英晶振自動控制的Rate Control鍍膜機制,在整個薄膜形成過程中,蒸發(fā)速率是恒定的,在累積到目標薄膜厚度時,系統(tǒng)會自動結(jié)束鍍膜,以實現(xiàn)厚度的精確控制。
Rate control 原理
根據(jù)客戶不同的真空度要求,我們可定制真空系統(tǒng),其中包括高真空版本(5 × 10-7 Torr),近超高真空版本(5 × 10-9 Torr),以及超高真空版本(5 × 10-10 Torr),以滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域和薄膜質(zhì)量的需求。對于基底材料的特殊要求,我們可提供不同功能的樣品臺,可實現(xiàn)加熱或者冷卻。
加熱型樣品臺
冷卻型樣品臺
多片樣品臺
樣品臺偏壓
針對金屬和介質(zhì)的Lift-off工藝,我們可提供Lift-off專用型電子束蒸發(fā)。針對超導(dǎo)領(lǐng)域的約瑟夫森結(jié),我們可提供樣品臺傾斜設(shè)計的超高真空版本電子束蒸發(fā)。針對光學(xué)鍍膜,也可以配置離子源輔助的電子束蒸發(fā)。
Lift-off工藝特點
雙傾角鍍膜樣品臺-約瑟夫森結(jié)
離子源輔助電子束蒸發(fā)-光學(xué)鍍膜
應(yīng)用領(lǐng)域:
● 金屬/介質(zhì) Lift-Off 工藝
● 多層膜金屬電極
● 超導(dǎo)約瑟夫森結(jié)制備
● 光學(xué)鍍膜
應(yīng)用展示:
配置選型:
配置特點:
● 腔體尺寸:根據(jù)鍍膜基片尺寸、數(shù)量和鍍膜距離確定
● 極限真空優(yōu)于 3 × 10-7 Torr(可選超高真空版本 5 × 10-9 Torr)
● 基片臺:常規(guī)支持 8 寸并向下兼容;可定制特殊尺寸樣品夾具,支持單片鍍膜或多片同時鍍膜
● 電子槍功率 6 kW / 10 kW,坩堝數(shù)量:1/4/6,坩堝容量:7 / 15 / 25 / 40 cc
● 坩堝防污染設(shè)計
● 全自動鍍率控制石英晶振監(jiān)控
● 基片可選加熱:Max. 300℃ / 500℃ / 800℃
● 基片可選水冷或液氮冷卻
● 可配備離子束輔助沉積,用于光學(xué)薄膜制備
● 可配備快速進樣室,可選配樣品射頻清洗/刻蝕功能
● 可與手套箱集成
● 可根據(jù)用戶要求將其它鍍膜技術(shù)與電子束蒸發(fā)集成,例如磁控濺射、熱蒸發(fā)等
● 薄膜均勻度優(yōu)于 ±3%
配置選型:
配置特點:
● 腔體尺寸:根據(jù)鍍膜基片尺寸、數(shù)量和鍍膜距離確定
● 極限真空優(yōu)于 3 × 10-7 Torr(可選超高真空版本5 × 10-9 Torr)
● 基片臺:常規(guī)支持 8 寸并向下兼容;可定制特殊尺寸樣品夾具,支持單片鍍膜或多片同時鍍膜
● 電子槍功率 6 kW / 10 kW,坩堝數(shù)量:1/4/6,坩堝容量:7 / 15 / 25 / 40 cc
● 坩堝防污染設(shè)計
● 全自動鍍率控制石英晶振監(jiān)控
● 基片可選加熱:Max.300℃ / 500℃ / 800℃
● 基片可選水冷或液氮冷卻
● 可配備離子束輔助沉積,用于光學(xué)薄膜制備
● 可配備快速進樣室,可選配樣品射頻清洗/刻蝕功能
● 可與手套箱集成
● 可根據(jù)用戶要求將其它鍍膜技術(shù)與電子束蒸發(fā)集成,例如磁控濺射、熱蒸發(fā)等
● 薄膜均勻度優(yōu)于 ±3%