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      電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)

      參考價面議
      具體成交價以合同協(xié)議為準
      • 公司名稱上海德竹芯源科技有限公司
      • 品       牌
      • 型       號EB-LC4-A0X
      • 所  在  地上海
      • 廠商性質(zhì)其他
      • 更新時間2024/5/15 9:14:41
      • 訪問次數(shù)57
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      上海德竹芯源科技有限公司是一家專注于功率器件、光電器件、射頻器件、量子器件、MEMS傳感器領(lǐng)域的設(shè)備銷售、系統(tǒng)集成、設(shè)備國產(chǎn)化的公司。主要為高校、研究所、中試量產(chǎn)線及晶圓FAB廠提供半導(dǎo)體工藝設(shè)備、檢測設(shè)備、封裝設(shè)備、測試設(shè)備。目前公司已成為國內(nèi)少數(shù)幾家專業(yè)提供半導(dǎo)體工藝、檢測、封裝、測試整體解決方案的企業(yè)。公司主要成員為復(fù)旦大學(xué)、上海微系統(tǒng)所等半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)博士,擁有一支經(jīng)驗豐富、技術(shù)過硬的團隊。能夠出色地完成售前售中、售后的服務(wù)。目前公司已與眾多國際半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)建立了良好的合作關(guān)系(如:EVG、SAWNATEC、SENTECH、PICOSUN、SYSKEY、 Mavemn Panalyrical、PHL-CHINA、TEMPRESS,ROHDE&SCHWARZ、MPI等),致力于根據(jù)用戶的科研方向和量產(chǎn)的器件類別提供相應(yīng)的全套設(shè)備選型和工藝整體解決方案。
      無線電綜合測試儀
      對傳統(tǒng)熱蒸發(fā)技術(shù)難以實現(xiàn)的材料蒸發(fā),可采用電子束蒸發(fā)的方式來實現(xiàn)。不同于傳統(tǒng)的輻射加熱和電阻絲加熱,高能電子束轟擊可實現(xiàn)超過3000℃的局域高溫,這使得絕大部分常用材料都可以被蒸發(fā)出來,甚至是高熔點的材料,例如,Pt,W,Mo,Ta以及一些氧化物,陶瓷材料等。矽碁提供的電子束蒸發(fā)源可承載1-6種不同的材料,實現(xiàn)多層膜工藝;蒸發(fā)源本身防污染設(shè)計,使得不同材料之間的交叉污染得以降低。
      電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

      電子束蒸發(fā)鍍膜

      E-beam Evaporation

      在真空環(huán)境下用聚焦電子束加熱的方式將材料加熱到蒸發(fā),真空腔室內(nèi)的基片和襯底表面會形成薄膜或涂層,此過程被稱為真空熱蒸鍍,加熱材料的方式主要有熱舟式和坩堝式。

      電子束蒸發(fā)原理圖


      由于電子束轟擊的局域加熱特性,使得高熔點材料也可以得到有效加熱,電子束蒸發(fā)在熱蒸發(fā)的基礎(chǔ)上,可實現(xiàn)高熔點材料的鍍膜,例如導(dǎo)電金屬,Ti, Pt, Mo, W 等,也可以用于介質(zhì)材料的鍍膜,SiO2, TiO2, Al2O3, 還有鍵能較高的氮化物TiN,AlN 等。電子束蒸發(fā)相比于熱蒸發(fā)具有更高的靈活性和材料覆蓋能力,用戶僅需選擇蒸發(fā)工位容量和數(shù)量即可。


      電子束蒸發(fā)特點

      系統(tǒng)的自動控制采用的是石英晶振自動控制的Rate Control鍍膜機制,在整個薄膜形成過程中,蒸發(fā)速率是恒定的,在累積到目標薄膜厚度時,系統(tǒng)會自動結(jié)束鍍膜,以實現(xiàn)厚度的精確控制。

      Rate control 原理


      根據(jù)客戶不同的真空度要求,我們可定制真空系統(tǒng),其中包括高真空版本(5 × 10-7 Torr),近超高真空版本(5 × 10-9 Torr),以及超高真空版本(5 × 10-10 Torr),以滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域和薄膜質(zhì)量的需求。對于基底材料的特殊要求,我們可提供不同功能的樣品臺,可實現(xiàn)加熱或者冷卻。


      加熱型樣品臺


      冷卻型樣品臺


      多片樣品臺


      樣品臺偏壓


      針對金屬和介質(zhì)的Lift-off工藝,我們可提供Lift-off專用型電子束蒸發(fā)。針對超導(dǎo)領(lǐng)域的約瑟夫森結(jié),我們可提供樣品臺傾斜設(shè)計的超高真空版本電子束蒸發(fā)。針對光學(xué)鍍膜,也可以配置離子源輔助的電子束蒸發(fā)。


      Lift-off工藝特點


      雙傾角鍍膜樣品臺-約瑟夫森結(jié)


      離子源輔助電子束蒸發(fā)-光學(xué)鍍膜


      應(yīng)用領(lǐng)域:

      金屬/介質(zhì) Lift-Off 工藝

      多層膜金屬電極

      超導(dǎo)約瑟夫森結(jié)制備

      光學(xué)鍍膜


      應(yīng)用展示:


      配置選型:


      配置特點:

      腔體尺寸:根據(jù)鍍膜基片尺寸、數(shù)量和鍍膜距離確定

      極限真空優(yōu)于 3 × 10-7 Torr(可選超高真空版本 5 × 10-9 Torr

      基片臺:常規(guī)支持 8 寸并向下兼容;可定制特殊尺寸樣品夾具,支持單片鍍膜或多片同時鍍膜

      電子槍功率 6 kW / 10 kW,坩堝數(shù)量:1/4/6,坩堝容量:7 / 15 / 25 / 40 cc

      坩堝防污染設(shè)計

      全自動鍍率控制石英晶振監(jiān)控

      基片可選加熱:Max. 300℃ / 500℃ / 800℃

      基片可選水冷或液氮冷卻

      可配備離子束輔助沉積,用于光學(xué)薄膜制備

      可配備快速進樣室,可選配樣品射頻清洗/刻蝕功能

      可與手套箱集成

      可根據(jù)用戶要求將其它鍍膜技術(shù)與電子束蒸發(fā)集成,例如磁控濺射、熱蒸發(fā)等

      薄膜均勻度優(yōu)于 ±3%

      配置選型:


      配置特點:

      腔體尺寸:根據(jù)鍍膜基片尺寸、數(shù)量和鍍膜距離確定

      極限真空優(yōu)于 3 × 10-7 Torr(可選超高真空版本5 × 10-9 Torr

      基片臺:常規(guī)支持 8 寸并向下兼容;可定制特殊尺寸樣品夾具,支持單片鍍膜或多片同時鍍膜

      電子槍功率 6 kW / 10 kW,坩堝數(shù)量:1/4/6,坩堝容量:7 / 15 / 25 / 40 cc

      坩堝防污染設(shè)計

      全自動鍍率控制石英晶振監(jiān)控

      基片可選加熱:Max.300℃ / 500℃ / 800℃

      基片可選水冷或液氮冷卻

      可配備離子束輔助沉積,用于光學(xué)薄膜制備

      可配備快速進樣室,可選配樣品射頻清洗/刻蝕功能

      可與手套箱集成

      可根據(jù)用戶要求將其它鍍膜技術(shù)與電子束蒸發(fā)集成,例如磁控濺射、熱蒸發(fā)等

      薄膜均勻度優(yōu)于 ±3%

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