● 適用晶圓尺寸：6 寸及以下晶圓，同時(shí)兼容不小于 10mm×10mm 的碎片

● 適用晶圓厚度：100μm ~ 1000μm 厚度的晶圓的激光退火

● 激光模式：UV-YAG 激光器，波長(zhǎng) 355nm

● 激光器脈沖寬度：60ns(@20kHz)

● 激光器標(biāo)準(zhǔn)壽命：20000h

● 激光束尺寸：Φ100um ± 5um

● 激光掃描方法：Galvano 高速掃描方式，光斑在掃描方向上的重疊率、行與行之間的重疊率均可調(diào)節(jié)

● 工藝腔室：室溫，工藝腔室用 N₂ 或 Ar 氛圍保護(hù)，帶有氧氣濃度監(jiān)控，通過(guò)軟件控制實(shí)現(xiàn)氧氣濃度達(dá)到 100ppm 以內(nèi)才啟動(dòng)工藝的功能

● 生產(chǎn)能力：＞4wph＠6inch（光斑在掃描方向上的重疊率 67、行與行之間的重疊率 50% 的條件下）

● 非照射面溫度抑制：加工過(guò)程中，非照射面的溫度 ≤ 100℃

● 選擇性退火功能：可通過(guò)電腦軟件控制，對(duì)晶圓/樣片進(jìn)行分區(qū)域不同條件選擇性激光退火

用戶的課題

● 兼顧晶圓薄片化及生產(chǎn)性的光源選定

● 針對(duì) SiC 功率器件薄片化應(yīng)用下光源（Green/UV）帶來(lái)的熱損傷

● SiC 功率器件的熱損傷與生產(chǎn)性之間的平衡

已解決問(wèn)題、可達(dá)成目標(biāo)

● 通過(guò)模擬實(shí)驗(yàn)對(duì)照射條件的事先研究

● 驗(yàn)證照射測(cè)試的模擬實(shí)驗(yàn)結(jié)果，提案理想條件

● SiC 用激光退火設(shè)備光源選定之要點(diǎn)

激光光源選定時(shí)的要點(diǎn)

器件的厚度

● Green 激光相較于 UV 激光，因?yàn)閷?duì)于金屬來(lái)說(shuō)吸收率較低，作為退火條件，要求用較高的輻射強(qiáng)度進(jìn)行照射。因此一般情況下，對(duì)于比 100~120μm 更薄的器件，更容易受到熱影響。

激光對(duì)SiC的穿透深度

● 對(duì) SiC 晶圓進(jìn)行激光照射時(shí)，不同波長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致穿透深度產(chǎn)生差異。使用 Green 激光時(shí)，激光穿透至表面（圖案面）。這使得成膜工序中金屬膜（Ni/Ti）有缺陷時(shí)，便有圖案被破壞的風(fēng)險(xiǎn)。

金屬膜（Ni）的吸收率

● 激光的波長(zhǎng)不同，金屬膜的吸收率也有所不同。若要求同樣的退火結(jié)果，反射率低（＝吸收率高）只需投入較少能量。反之能量投入越多，越容易對(duì)器件產(chǎn)生熱影響。

生產(chǎn)性

● 基于器件結(jié)構(gòu)和金屬的成膜條件，其照射條件將有所不同，一般情況下，Green 激光的生產(chǎn)性比 UV 激光高出 2.5~3倍。