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主要用于中小規(guī)模集成電路和半導體元器件制造工藝中的對準及曝光。本產(chǎn)品操作方便、穩(wěn)定性高、重復性好，并具有較高的性能價格比，可廣泛應用于科研和生產(chǎn)。
主要技術(shù)特點
對準工作臺
對準精度搞，漂移小，精密楔形誤差補償機構(gòu)實現(xiàn)三點找平，找平力小，延長掩摸版使用壽命。
曝光系統(tǒng)
采用柱體蠅眼透鏡和高能力集光的橢球反射鏡等精密光學件，具有較高的光強、均勻性、光學分辨率。
分離視場顯微鏡
顯微鏡像質(zhì)清晰，觀察舒適。
控制系統(tǒng)
電氣控制采用可編程序控制器（PLC）、LCD顯示器，操作方便，汞燈電源易于觸發(fā)，可靠性高。該設(shè)備的關(guān)鍵件采用進口或?qū)I(yè)廠家制造，氣動元件采用SMC產(chǎn)品，提高了設(shè)備的穩(wěn)定性、可靠性，同時提供個性化服務。
主要技術(shù)指標
| 性能名稱 | 技術(shù)指標 | ||
| 適用基片尺寸 | Max. φ5″（φ125mm） | ||
| 適用掩模版尺寸 | Max. 6″（150mm×150mm） | ||
| 工作臺行程 | Ｘ向 | ±5mm | |
| Y向 | ±5mm | ||
| Z向 | 3mm | ||
| θ向 | ±5° | ||
| 基片與掩模版分離間隙 | 0～0.05mm | ||
| 對準精度 | ±1μm | ||
| 顯微鏡 | 物鏡放大率 | 0.75×～5× | |
| 總放大倍數(shù) | 40×～300× | ||
| 物鏡分離距離 | 50～120mm | ||
| 掃描范圍 | 50mm×50mm | ||
| 調(diào)焦范圍 | 8mm | ||
| 曝光光源 | 365nm，500W進口汞燈 | ||
| 曝光面積 | φ160mm | ||
| 曝光分辨率 | 1.5um（正膠、真空接觸） | ||
| 光強 | ≥20mW/cm2 | ||
| 曝光不均勻性 | ±5% | ||
| 曝光時間 | 0～999s | ||
| 外型尺寸 | 1300mm×1100mm×1650mm | ||
| 重量 | 300Kg | ||
