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      美國吉時利4200替代品易恩MOS測試儀

      參考價面議
      具體成交價以合同協(xié)議為準
      • 公司名稱西安誼邦電子科技有限公司
      • 品       牌
      • 型       號
      • 所  在  地西安市
      • 廠商性質生產廠家
      • 更新時間2020/10/27 10:29:18
      • 訪問次數(shù)436
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      聯(lián)系我們時請說明是 智能制造網 上看到的信息,謝謝!

      西安誼邦電子科技有限公司為國家*產業(yè)園、西安市重點支持的*。主要從事半導體分立器件測試系統(tǒng)的研發(fā)、生產與銷售等業(yè)務。公司主要技術人員均來半導體技術研究所,擁有豐富的專業(yè)技術知識和多年的測試產品研發(fā)經驗。 公司引進美國*半導體測試技術,在此基礎上研制生產了系列半導體分立器件測試系統(tǒng),該測試系統(tǒng)擁有功率大、速度快、精度高、測試種類全等技術特點,各項技術指標均達到*水平。 誼邦電子研發(fā)技術涉及集成電路測試、半導體分立器件測試等領域。產品主要應用于汽車、飛機、船舶制造、能源等行業(yè)領域。 科技創(chuàng)新、服務無限,是我們工作的宗旨。

      主營范圍:1.IGBT測試系統(tǒng) 2.半導體分立器件測試儀 3.高速大功率半導體分立器件測試系統(tǒng) 4.分立功率器件測試儀 5.可控硅整流器測試(儀) 6.MOS 場效應管測試(儀) 7.三端穩(wěn)壓器測試(儀) 8.絕緣柵雙*功率晶體管IGBT測試(儀) 9.光電耦合器測試(儀) 11.繼電器測試(儀)

       

      分立器件測試,圖示儀,大功率IGBT測試儀,雪崩測試儀
      此設備具有以下測試單元。注:開關時間,二極管反向恢復,柵極電荷需要可在分裝后測試,靜態(tài)參數(shù)及雪崩測試需要在加電容前測試。
      開關時間測試單元
      開啟延遲時間(Td(on)) 上升時間(Tr)
      關斷延遲時間(Td(off)) 下降時間(Tf)
      開啟損耗Eon 關斷損耗Eoff
      二極管反向恢復測試單元
      反向恢復時間(Trr) 反向恢復電荷(Qrr)
      柵極
      美國吉時利4200替代品易恩MOS測試儀 產品信息

      美國吉時利4200替代品易恩MOS測試儀

      西安廠家直供大功率MOS動靜態(tài)測試系統(tǒng)

      規(guī)格環(huán)境

      A.  環(huán)境溫度:    25±10℃,

      B. 相對濕度:   濕度不大于65%

      C.  大氣壓力:    86Kpa~ 106Kpa

      D.  工作電壓:三相五線制AC 380V±10%,或者單相三線制AC 220V±10%

      E. 電網頻率:    50Hz±1Hz

      F.  壓縮空氣:   0.4~0.6Mpa

      G.  防護:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導電粉塵等空氣污染的損害;功能簡介

      此設備具有以下測試單元。注:開關時間,二極管反向恢復,柵極電荷需要可在分裝后測試,靜態(tài)參數(shù)及雪崩測試需要在加電容前測試。

      開關時間測試單元

      開啟延遲時間(Td(on))     上升時間(Tr)

      關斷延遲時間(Td(off))    下降時間(Tf)

      開啟損耗Eon              關斷損耗Eoff

      二極管反向恢復測試單元

      反向恢復時間(Trr)       反向恢復電荷(Qrr)

      柵極電荷測試單元

      閾值電荷(Qg(th))      柵電荷(Qg)

      靜態(tài)全參數(shù)測試單元

      RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25

      雪崩測試單元

      雪崩電流(I),雪崩電壓(V),雪崩能量(E)

      測量的MOSFET動態(tài)參數(shù)

      參數(shù)名稱

      符號

      參數(shù)名稱

      符號

      開通延遲時間

      td(on)

      關斷延遲時間

      td(off)

      上升時間

      tr

      下降時間

      tf

      開通時間

      ton

      關斷時間

      toff

      開通損耗

      Eon

      關斷損耗

      Eoff

      柵極電荷

      Qg

      拖尾時間

      tz

       

      測量的DIODE動態(tài)參數(shù)

      參數(shù)名稱

      符號

      參數(shù)名稱

      符號

      反向恢復時間

      trr

      反向恢復電荷

      Qrr

       

       

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