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      西安廠商直供雪崩耐量測(cè)試儀

      參考價(jià)面議
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱西安誼邦電子科技有限公司
      • 品       牌
      • 型       號(hào)ENX2020
      • 所  在  地西安市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時(shí)間2020/10/27 10:25:16
      • 訪問(wèn)次數(shù)382
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      西安誼邦電子科技有限公司為國(guó)家*產(chǎn)業(yè)園、西安市重點(diǎn)支持的*。主要從事半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售等業(yè)務(wù)。公司主要技術(shù)人員均來(lái)半導(dǎo)體技術(shù)研究所,擁有豐富的專業(yè)技術(shù)知識(shí)和多年的測(cè)試產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。 公司引進(jìn)美國(guó)*半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù),在此基礎(chǔ)上研制生產(chǎn)了系列半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng),該測(cè)試系統(tǒng)擁有功率大、速度快、精度高、測(cè)試種類全等技術(shù)特點(diǎn),各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到*水平。 誼邦電子研發(fā)技術(shù)涉及集成電路測(cè)試、半導(dǎo)體分立器件測(cè)試等領(lǐng)域。產(chǎn)品主要應(yīng)用于汽車、飛機(jī)、船舶制造、能源等行業(yè)領(lǐng)域。 科技創(chuàng)新、服務(wù)無(wú)限,是我們工作的宗旨。

      主營(yíng)范圍:1.IGBT測(cè)試系統(tǒng) 2.半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀 3.高速大功率半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng) 4.分立功率器件測(cè)試儀 5.可控硅整流器測(cè)試(儀) 6.MOS 場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試(儀) 7.三端穩(wěn)壓器測(cè)試(儀) 8.絕緣柵雙*功率晶體管IGBT測(cè)試(儀) 9.光電耦合器測(cè)試(儀) 11.繼電器測(cè)試(儀)

       

      分立器件測(cè)試,圖示儀,大功率IGBT測(cè)試儀,雪崩測(cè)試儀
      ENX2020雪崩耐量測(cè)試儀是本公司研發(fā)設(shè)計(jì)的測(cè)試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測(cè)試設(shè)備,能夠準(zhǔn)確快速的測(cè)試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。
      西安易恩電氣ENX2020 雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng),該設(shè)備包括:可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)
      西安廠商直供雪崩耐量測(cè)試儀 產(chǎn)品信息

      西安廠商直供雪崩耐量測(cè)試儀

      ENX2020  雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)

      概述

      半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收的能量稱為雪崩耐量,表示施加電壓時(shí)的抗擊穿性。對(duì)于那些在元件兩端產(chǎn)生較大尖峰電壓的應(yīng)用場(chǎng)合,就要考慮器件的雪崩能量,電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,因此對(duì)于反激的應(yīng)用場(chǎng)合,電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下,功率器件都會(huì)降額,從而留有足夠的電壓余量,但是一些電源在輸出短路時(shí),初級(jí)會(huì)產(chǎn)生較大的電流,加上初級(jí)電感,器件就會(huì)有雪崩損壞的可能,因此在這樣的應(yīng)用條件下,就要考慮器件的雪崩能量。另外,由于一些電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載,而啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生*的沖擊電流,因此也要考慮器件的雪崩能量。

      ENX2020雪崩耐量測(cè)試儀是本公司研發(fā)設(shè)計(jì)的測(cè)試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測(cè)試設(shè)備,能夠準(zhǔn)確快速的測(cè)試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。

      西安易恩電氣ENX2020  雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng),該設(shè)備包括:可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測(cè)試夾具、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)適配器、外接測(cè)試端口(根據(jù)客戶需求)等多個(gè)部分。

      規(guī)格/環(huán)境要求

      • 電壓頻率:50Hz±1Hz
      • 環(huán)境溫度:1540
      • 工作濕度:溫度不高于+30℃時(shí),相對(duì)濕度5%-80%。

      溫度+30℃到+50℃時(shí)相對(duì)濕度5%-45%,無(wú)冷凝。

      • 大氣壓力: 86Kpa~106Kpa
      • 海拔高度:不超過(guò)3000米。
      • 尺    寸:800x800x1800mm
      • 質(zhì)    量:210KG
      • 工作電壓:AC220V±10%無(wú)嚴(yán)重諧波
      • 系統(tǒng)功耗:320W
      • 通信接口:USB RS232

      技術(shù)指標(biāo)

      配置

      測(cè)試范圍

      測(cè)試參數(shù)

      條件

      范圍

      電壓

      1000V

      IGBTs

      絕緣柵雙極型晶體管

      EAS/單脈沖雪崩能量

      VCE

      20V-4500V

      20-100V±3%±1V

      100-1000V±3%±5V

      1000-4500V±3%±10V

      電流

      200A

      MOSFETs

      MOS場(chǎng)效應(yīng)管

      EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量

      Ic

      1mA-200A

      1mA-100mA±3%±0.1mA

      100mA-2A±3%±5mA

      2A-200A±3%±50mA

       

      DIODEs

      二極管

      IAS/單脈沖雪崩電流

      Ea

      1J-2000J

      1J-100J±3%±1J

      100J-500J±3%±5J

      500J-2000J±3%±10J

       

       

      PAS/單脈沖雪崩功率

      IC檢測(cè)

      50mV/A(取決于傳感器)

       

       

       

      感性負(fù)載

      10mH、20mH、40mH、80mH、100mH

       

       

       

      重復(fù)間隙時(shí)間

      1-60s可調(diào)(步進(jìn)1s)重復(fù)次數(shù):1-50次

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