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      用結(jié)點溫度評估器件可靠性的案例分析

      2015年11月12日 15:06:18人氣:8158來源:

        設(shè)計一款產(chǎn)品時用了一顆9A的MOS管,量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高,經(jīng)重新計算分析后,換成了一顆的MOS管,問題解決。為什么用電流裕量更小的器件,卻能提高可靠性呢?
        
        工程師在設(shè)計的過程中非常注意元器件性能上的裕量,卻很容易忽視熱耗散設(shè)計,案例分析我們放到zui后說,為了幫助理解,我們先引入一個概念:
        
        其中Tc為芯片的外殼溫度,PD為芯片在該環(huán)境中的耗散功率,Tj表示芯片的結(jié)點溫度,目前大多數(shù)芯片的結(jié)點溫度為150℃,Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻,Rcs表示外殼至散熱片的熱阻,Rsa表示散熱片到空氣的熱阻,一般功率器件用Rjc進行計算即可。
        
        圖1功率器件熱阻分布示意圖
        
        舉個例子來說,大家常用的S8050在25℃(Tc)的zui大耗散功率是0.625W,額定電流為0.,zui高結(jié)點溫度為150℃,此代入公式有:
        
        從上面公式可以推算出Rja為200℃/W(Rja表示結(jié)點到空氣的熱阻)。假設(shè)芯片殼溫(Tc)為55℃,熱耗散功率有0.5W時,此刻芯片結(jié)點溫度為:Tj=Tc+PD*Rjc代入得到155℃,已經(jīng)超過了zui高結(jié)溫150℃了。故需要降額使用,然而降額曲線在數(shù)據(jù)手冊中并未標(biāo)注,所以小編只能自行計算。
        
        在25℃(Tc)時有公式:
        
        恒成立。
        
        把線性降額因子設(shè)為F,則在任意溫度時有:
        
        代入已知參數(shù)得到F>5mW/℃,一般為了滿足裕量要求,降額因子往往取得更大才能滿足可靠性設(shè)計要求。
        
        由于小晶體管和芯片是不帶散熱器的,這時就要考慮殼體到空氣之間的熱阻。一般數(shù)據(jù)手冊會給出Rja(結(jié)到環(huán)境之間的熱阻)。那么三極管S8050,其zui大功率0.625W是在其殼溫25℃時取得的。倘若環(huán)境溫度剛好為25℃,芯片自身又要消耗0.625W的功率,那么為了滿足結(jié)點不超過150℃,*的辦法就是讓其得到足夠好的散熱。
        
        好了,我們把問題轉(zhuǎn)回到zui初的場效應(yīng)管為什么需要從9A變成性能更可靠的問題上來,場效應(yīng)管的損耗通常來自導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗兩種,但在高頻小電流條件下以開關(guān)損耗為主,由于9A的場效應(yīng)管在工藝上決定了其柵極電容較大,需要較強的驅(qū)動能力,在驅(qū)動能力不足的情況下導(dǎo)致其開關(guān)損耗急劇上升,特別在高溫情況下由于熱耗散不足,導(dǎo)致結(jié)點溫度超標(biāo)引發(fā)失效。如果在滿足設(shè)計裕量的條件下?lián)Q成額定電流稍小的場管以后,由于兩種場管在導(dǎo)通內(nèi)阻上并不會差距太大,且導(dǎo)通損耗在高頻條件下相比開關(guān)損耗來說幾乎可以忽略不計,這樣一來的場管驅(qū)動起來就會變得容易很多,開關(guān)損耗降下去了,使用場管在同樣的溫度環(huán)境下結(jié)點溫度降低在可控范圍,自然就不會再出現(xiàn)熱耗散引起的失效了,當(dāng)然遇到這種情況增強驅(qū)動能力也是一個很好的辦法。
        
        圖2開關(guān)器件損耗分析示意圖
        
        通常大多數(shù)芯片的結(jié)點溫度是150℃,只要把結(jié)點溫度控制在這個范圍內(nèi)并保持一定裕量,從熱耗散的設(shè)計角度來說都是沒有問題的,如果下次你找遍了芯片的器件性能指標(biāo)均發(fā)現(xiàn)有一定裕量卻無法找到失效原因時,不妨從熱耗散的角度來發(fā)現(xiàn)問題,興許能幫上大忙。
      關(guān)鍵詞:功率器件晶體管
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