我們見到“END"這個(gè)詞的時(shí)候，腦海中可能會(huì)浮現(xiàn)出“結(jié)尾"“劇終"等印象。在半導(dǎo)體科學(xué)中END這個(gè)詞會(huì)更接近于“邊"的用法。下面主要介紹晶體管形成截止的前端工藝（Front-End）和晶體管形成后多層布線工序的后端工藝（Back-End）。前端工藝的晶體管相關(guān)的制造工藝在晶圓中進(jìn)行，而后端工藝的多層布線工藝是在晶圓上形成布線結(jié)構(gòu)的。前端工藝就像建筑物上的基礎(chǔ)工程，而后端工藝相當(dāng)于房屋的疊加，從某種意義上說，前端工藝有各種各樣的工藝：清洗、離子注入和熱處理、光刻、刻蝕、成膜、平坦化（CMP）,并由這幾種工藝組合而成。前端工藝是多次重復(fù)相同的工序進(jìn)行產(chǎn)品生產(chǎn)的方式，因經(jīng)歷了多次相同的工藝又稱為循環(huán)型工藝。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
方形基片的邊緣清洗
邊緣區(qū)域：1-20mm
基片厚度要求：0.5-20mm
自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)邊緣尺寸
液體噴嘴數(shù)量可選可增配
“邊膠"的產(chǎn)生及改善
厚膠旋涂和方形襯底勻膠時(shí)邊緣會(huì)形成較厚的光刻膠膠邊即邊膠，邊膠是硅片邊緣形成的厚度不均勻的膠層，不僅影響晶圓的外觀還對(duì)接觸式光刻工藝產(chǎn)生影響，光刻、顯影等過程產(chǎn)生缺陷，芯片性能降低：由于邊緣光刻膠的溶劑殘留量高，即使在前烘后，掩膜板也會(huì)粘附，會(huì)污染掩膜板。在曝光過程中，邊珠還會(huì)在光刻膠膜和掩膜板之間充當(dāng)不必要的間隙，導(dǎo)致光刻膠曝光的圖案分辨率低、尺寸誤差大或顯影后圖案的側(cè)壁不陡直等。
消除“邊膠"的措施
除了通過自動(dòng)化設(shè)備完成去邊角工藝（EBR）的話，還可以通過以下措施幫助減少邊膠:
圓形基底:可使用配套EBR溶劑，利用一個(gè)帶有細(xì)噴嘴的洗瓶，在500 rpm左右動(dòng)態(tài)去除邊膠；
足夠高的旋轉(zhuǎn)速度(3000-4000rpm/min)達(dá)到目標(biāo)膜厚的膠膜；
非常厚的光刻膠可利用較高的加速度，在短時(shí)間內(nèi)獲得較高的旋轉(zhuǎn)速度 ，當(dāng)光刻膠層已經(jīng)足夠干燥，但邊膠仍然有足夠的液體時(shí)，在旋涂工藝末端突然增加旋轉(zhuǎn)速度使邊膠脫離；
膠層與前烘之間的等待時(shí)間取決于抗蝕涂層的厚度和殘留溶劑的含量，以防止在高前烘溫度下膠層的粘度突然升高而增加邊膠效應(yīng)(可使用分步干燥: 室溫->50°C->95°C)；
調(diào)整良好旋涂腔室保證襯底與襯底托盤之間緊密接觸；
非圓形襯底: 如有可能的話，可將襯底邊緣片與邊緣珠一起裁切掉，或用潔凈間的刷子將邊膠刷洗掉。
除此之外，多次旋涂也是導(dǎo)致邊膠的重要原因之一，這種情況下，在前次涂膠完成后，烘烤有助于防止在下次涂膠過程中光刻膠再次溶解，從而減小邊膠效應(yīng)。
芯片勻膠去邊是指在芯片制造過程中，使用勻膠機(jī)將光刻膠均勻涂布在芯片表面后，通過去邊工藝將多余的光刻膠去除，留下所需的圖案。這一步驟在芯片制造中非常重要，其作用主要包括以下幾點(diǎn)：
1、定義圖案邊界：勻膠去邊過程可以幫助定義芯片上所需圖案的邊界，確保光刻膠只留在需要的區(qū)域內(nèi)，從而保證后續(xù)工藝的準(zhǔn)確性和可靠性。
2、提高圖案分辨率：通過去除多余的光刻膠，可減少圖案間的相互干擾，提高圖案的分辨率和清晰度，有利于后續(xù)工藝的精確加工。
3、保證芯片質(zhì)量：勻膠去邊可以幫助去除光刻膠涂布過程中可能產(chǎn)生的不均勻和雜質(zhì)，保證芯片表面的平整度和清潔度，有利于后續(xù)工藝步驟的順利進(jìn)行。
4、提高制程穩(wěn)定性：通過勻膠去邊工藝，可以減少光刻膠在芯片表面的變形和不均勻現(xiàn)象，提高制程的穩(wěn)定性和可重復(fù)性，有利于提高芯片制造的良品率。
芯片勻膠去邊的作用主要是為了定義圖案邊界、提高圖案分辨率、保證芯片質(zhì)量和提高制程穩(wěn)定性，從而確保芯片制造過程的準(zhǔn)確性和可靠性。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
方形基片的邊緣清洗
邊緣區(qū)域：1-20mm
基片厚度要求：0.5-20mm
自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)邊緣尺寸
液體噴嘴數(shù)量可選可增配
產(chǎn)品特點(diǎn)：
方形基片的邊緣清洗
邊緣區(qū)域：1-20mm
基片厚度要求：0.5-20mm
自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)邊緣尺寸
液體噴嘴數(shù)量可選可增配
產(chǎn)品特點(diǎn)：
方形基片的邊緣清洗
邊緣區(qū)域：1-20mm
基片厚度要求：0.5-20mm
自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)邊緣尺寸
液體噴嘴數(shù)量可選可增配
產(chǎn)品特點(diǎn)：
方形基片的邊緣清洗
邊緣區(qū)域：1-20mm
基片厚度要求：0.5-20mm
自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)邊緣尺寸
液體噴嘴數(shù)量可選可增配
EBR depth ? Parallelism to edge ? Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm ? Automatic adaption to various substrate sizes
EBR depth ? Parallelism to edge ? Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm ? Automatic adaption to various substrate sizesEBR depth ? Parallelism to edge ? Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm ? Automatic adaption to various substrate sizesEBR depth ? Parallelism to edge ? Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm ? Automatic adaption to various substrate sizesEBR depth ? Parallelism to edge ? Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm ? Automatic adaption to various substrate sizesEBR depth ? Parallelism to edge ? Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm ? Automatic adaption to various substrate sizesEBR depth ? Parallelism to edge ? Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm ? Automatic adaption to various substrate sizes
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