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現(xiàn)在,變頻技術(shù)在發(fā)達(dá)國家己經(jīng)成熟,隨著新的電力電子器件的不斷出現(xiàn),新的變頻技術(shù)層出不窮,使其得到了更廣泛的推廣應(yīng)用。變頻技術(shù)的迅速發(fā)展是建立在電力電子技術(shù)的創(chuàng)新、電力電子器件及材料的開發(fā)及器件制造工藝
北京同創(chuàng)互達(dá)現(xiàn)到貨全新英飛凌IGBT模塊,歡迎廣大客戶前來購買,*,質(zhì)量保證!
北京同創(chuàng)互達(dá)科技有限公司是專業(yè)的電子元器件經(jīng)銷商,是國外多家廠三菱(MITSUBISHI)、富士(FUJI)、英飛凌(優(yōu)派克EUPEC)、西門康(SEMIKRON)、三社(SANREX)、ABB公司現(xiàn)
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北京同創(chuàng)互達(dá)科技有限公司是專業(yè)的電子元器件經(jīng)銷商,是國外多家廠三菱、富士、英飛凌、西門康、三社,ABB公司現(xiàn)代功率器件(IGBT、GTR、IPM、PIM、GTO、單,雙向可控硅、整流橋、平板系列模塊)
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IGBT柵極串聯(lián)電阻對驅(qū)動波形的影響柵極驅(qū)動電壓的上升、下降速率對IGBT的開通和關(guān)斷過程有著較大的影響。在高頻應(yīng)用場合,驅(qū)動電壓的上升、下降速率應(yīng)盡量快一些,以提高IGBT的開關(guān)速度,降低損耗。減小
一、可控硅的概念和結(jié)構(gòu)?晶閘管又叫可控硅。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管,等等。今天大家使
這幾年IGBT市場獲得快速增長態(tài)勢,專家預(yù)測2007-2011年IGBT產(chǎn)品銷售量年均復(fù)合增長率將達(dá)到23%~25%。各國政府已經(jīng)將科技創(chuàng)新作為經(jīng)濟復(fù)蘇的重要引擎,重點圍繞著“新能源汽車、節(jié)能與新能源
晶閘管又叫可控硅。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管,等等。今天大家使用的是單向晶閘管,也就是
整流這一個術(shù)語,它是通過二極管的單向?qū)ㄔ韥硗瓿晒ぷ鞯模ㄋ椎膩碚f二極管它是正向?qū)ê头聪蚪刂?,也就是說,二極管只允許它的正極進正電和負(fù)極進負(fù)電。二極管只允許電流單向通過,所以將其接入交流電路時它能
曾幾何時,IGBT模塊已成為工控領(lǐng)域*的重要組成部分。從產(chǎn)生到如今廣泛應(yīng)用,IGBT領(lǐng)域經(jīng)歷的是一個和歷史相比并不漫長的過程。試問,只是一款元件,究竟是什么原因促使它的發(fā)展速度一日千里呢。毋庸置疑,發(fā)
鑒別可控硅三個極的方法很簡單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有
⑴IGBT由于集電極-柵極的寄生電容的密勒效應(yīng)的影響,能引起意外的電壓尖峰損害,所以設(shè)計時應(yīng)讓柵極的阻抗足夠低,以盡量消除其負(fù)面影響;⑵柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動電路內(nèi)阻抗對IGBT的開通過程及驅(qū)動脈沖的波形
在日益增長的變頻器市場,許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關(guān)頻率而著稱的新IGBT技術(shù)施展的舞臺。在62毫米(當(dāng)前模塊的標(biāo)準(zhǔn)尺寸)模塊中使用新IGBT技術(shù)使用戶可以因不必改變
公司簡介 北京同創(chuàng)互達(dá)科技有限公司是專業(yè)電子元器件代理商,是國外多家*廠三菱(MITSUBISHI)、富士(FUJI)、英飛凌(歐派克)、西門康(SEMIKRON)、三社(SANREX) 、ABB公司現(xiàn)代功率器件(IGBT、GTR、IPM、PIM、GTO、單,雙向可控硅、平板系列模塊)在中國的特約代理。日立(HITACHI)、三肯(SANKEN)、IR、IXYS、VICOR、LAMBDA等有*的合...
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