曾幾何時(shí)，IGBT模塊已成為工控領(lǐng)域*的重要組成部分。從產(chǎn)生到如今廣泛應(yīng)用，IGBT領(lǐng)域經(jīng)歷的是一個(gè)和歷史相比并不漫長(zhǎng)的過程。試問，只是一款元件，究竟是什么原因促使它的發(fā)展速度一日千里呢。毋庸置疑，發(fā)展源于需求，當(dāng)某款產(chǎn)品被市場(chǎng)大量需求之時(shí)，便是該產(chǎn)品蓬勃發(fā)展之日了。

   IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。應(yīng)用于交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。   

   IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。

    并且，IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域非常的廣泛，不僅可以用于家電的驅(qū)動(dòng)，如洗衣機(jī)、空調(diào)系統(tǒng)等；工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)；感應(yīng)加熱；正弦波逆變器；而且在照明，如高電壓氣體放電燈的應(yīng)用中也非常合適。   

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