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一、可控硅的概念和結(jié)構(gòu)？晶閘管又叫可控硅。自從20世紀50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。今天大家使...
這幾年IGBT市場獲得快速增長態(tài)勢，專家預測2007-2011年IGBT產(chǎn)品銷售量年均復合增長率將達到23%～25%。各國政府已經(jīng)將科技創(chuàng)新作為經(jīng)濟復蘇的重要引擎，重點圍繞著“新能源汽車、節(jié)能與新能源...
晶閘管又叫可控硅。自從20世紀50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。今天大家使用的是單向晶閘管，也就是...
整流這一個術(shù)語，它是通過二極管的單向?qū)ㄔ韥硗瓿晒ぷ鞯?，通俗的來說二極管它是正向?qū)ê头聪蚪刂?，也就是說，二極管只允許它的正極進正電和負極進負電。二極管只允許電流單向通過，所以將其接入交流電路時它能...
曾幾何時，IGBT模塊已成為工控領域*的重要組成部分。從產(chǎn)生到如今廣泛應用，IGBT領域經(jīng)歷的是一個和歷史相比并不漫長的過程。試問，只是一款元件，究竟是什么原因促使它的發(fā)展速度一日千里呢。毋庸置疑，發(fā)...
鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有...
⑴IGBT由于集電極-柵極的寄生電容的密勒效應的影響，能引起意外的電壓尖峰損害，所以設計時應讓柵極的阻抗足夠低，以盡量消除其負面影響；⑵柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動電路內(nèi)阻抗對IGBT的開通過程及驅(qū)動脈沖的波形...
在日益增長的變頻器市場，許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關(guān)頻率而著稱的新IGBT技術(shù)施展的舞臺。在62毫米（當前模塊的標準尺寸）模塊中使用新IGBT技術(shù)使用戶可以因不必改變...
1.可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié)，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時，如果從控制極G輸入...
由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要...
IGBT模塊的介紹IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導...
快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性...
快恢復二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向...
節(jié)能號吹響IGBT行業(yè)蘊藏巨大商機節(jié)能號吹響IGBT行業(yè)蘊藏巨大商機國家*能源節(jié)約和科技裝備司巡視員陳世海在今年3月參加“2009能效機制建設論壇”時表示：“目前我國的總體能源利用效率為33%左右，比...
工業(yè)電子市場繁榮IGBT產(chǎn)品銷售量快速增長這幾年IGBT市場獲得快速增長態(tài)勢，專家預測2007-2011年IGBT產(chǎn)品銷售量年均復合增長率將達到23%～25%。各國政府已經(jīng)將科技創(chuàng)新作為經(jīng)濟復蘇的重要...
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