⑴IGBT 由于集電極-柵極的寄生電容的密勒效應(yīng)的影響，能引起意外的電壓尖峰
損害，所以設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)讓柵極的阻抗足夠低，以盡量消除其負(fù)面影響；
⑵柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動電路內(nèi)阻抗對IGBT的開通過程及驅(qū)動脈沖的波形都有很
大的影響，所以設(shè)計(jì)時(shí)要綜合考慮；
⑶應(yīng)采用慢降柵壓技術(shù)來控制故障電流的下降速率，從而抑制器件的du/dt 和Uge
的峰值，達(dá)到短路保護(hù)的目的；
⑷在工作電流較大的情況下，為了減小關(guān)斷過電壓，應(yīng)盡量減小主電路的布線電
感，吸收電容應(yīng)采用低感或無感型；
⑸IGBT 與MOSFET 都是電壓驅(qū)動，都具有一個(gè)2.5～5V 的閾值電壓，有一個(gè)
容性輸入阻抗，因此IGBT 對柵極電荷非常敏感故驅(qū)動電路必須很可靠，要保
證有一條低阻抗值的放電回路，即驅(qū)動電路與IGBT 的連線要盡量短；
⑹用內(nèi)阻小的驅(qū)動源對柵極電容充放電，以保證柵極控制電壓 Uge, 有足夠陡的
前后沿，使IGBT 的開關(guān)損耗盡量小。另外，IGBT 開通后，柵極驅(qū)動源應(yīng)能
提供足夠的功率，使IGBT 不退出飽和而損壞；
⑺驅(qū)動電平Uge 也必須綜合考慮。Uge 增大時(shí)， IGBT 通態(tài)壓降和開通損耗均
下降，但負(fù)載短路時(shí)的Ic 增大， IGBT 能承受短路電流的時(shí)間減小，對其安全
不利，因此在有短路過程的設(shè)備中Uge 應(yīng)選得小些，一般選12～15V；
在關(guān)斷過程中，為盡快抽取PNP 管的存儲電荷，須施加一負(fù)偏壓 Uge, 但它
受IGBT 的G 、E 間zui大反向耐壓限制，一般取 1～10V；
⑻在大電感負(fù)載下， IGBT 的開關(guān)時(shí)間不能太短，以限制出di/dt 形成的尖峰
電壓，確保IGBT 的安全；
⑼由于IGBT 在電力電子設(shè)備中多用于高壓場合，故驅(qū)動電路與控制電路在電
位上應(yīng)嚴(yán)格隔離；
⑽IGBT 的柵極驅(qū)動電路應(yīng)盡可能簡單實(shí)用，自身帶有對IGBT 的保護(hù)功
能，有較強(qiáng)的抗*力。