深圳市華科智源科技有限公司
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詳細(xì)摘要： 華科智源cv曲線測(cè)試儀，可以測(cè)試MOS管，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)，...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-06-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 晶體管圖示儀設(shè)備擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開(kāi)爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-DC-2010所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-06-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源柵極電阻測(cè)試儀，可以測(cè)試MOS管，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)，...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-21 在線留言
詳細(xì)摘要： 品牌： 華科智源名稱： 雪崩能量測(cè)試儀用途： 用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測(cè)試
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-21 在線留言
詳細(xì)摘要： 品牌： HUSTEC名稱： HTGB高溫柵偏試驗(yàn)系統(tǒng) 型號(hào)： GKH-HTGB-C16HTRB/HTGBJ測(cè)試介紹高溫反偏試驗(yàn)（High Temperature...
產(chǎn)品型號(hào)：HTGB-C16所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-21 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源-IOL間歇壽命測(cè)試系統(tǒng)，測(cè)試各種封裝的MOSFET、IGBT、三極管、Diode（小電流器件）進(jìn)行連續(xù)工作壽命和間歇工作壽命試驗(yàn)。間歇工作壽命試驗(yàn)利用...
產(chǎn)品型號(hào)：HK-IOL-16H所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-21 在線留言
詳細(xì)摘要： 超聲波掃描顯微鏡品牌：津上智造型號(hào)：UTScan400產(chǎn)品簡(jiǎn)介：掃描顯微鏡是一種利用傳播媒介的無(wú)損檢測(cè)設(shè)備。在工作中采用反射或者透射等掃描方式來(lái)檢查元器件、材料...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-21 在線留言
詳細(xì)摘要： 設(shè)備名稱：激光開(kāi)封機(jī)/Laser Decapsulator設(shè)備型號(hào)：SMART ETCH II P-20基本原理：芯片激光開(kāi)封機(jī)的工作原理是利用高能激光蝕刻掉芯...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-21 在線留言
詳細(xì)摘要： 名稱： 酸開(kāi)封機(jī)型號(hào)： RKD Elite Etch品牌： RKD?用途： 對(duì)器件進(jìn)行開(kāi)帽，DECAP
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-21 在線留言
詳細(xì)摘要： igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 華科智源，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-21 在線留言
詳細(xì)摘要： 10us浪涌電流測(cè)試儀，可測(cè)試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪涌電流根...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-IFSM-1200A所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-21 在線留言
詳細(xì)摘要： 10us方波浪涌測(cè)試儀，可測(cè)試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪涌電流根...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-IFSM-1200A所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-21 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源柵極電阻/電容測(cè)試儀，可以測(cè)試MOS管，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-CV-1200所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-21 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源cv曲線測(cè)試儀，可以測(cè)試MOS管，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)，...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-CV-1200所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-21 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源結(jié)電容測(cè)試儀，可以測(cè)試MOS管，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)，可...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-CV-1200所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-21 在線留言
詳細(xì)摘要： 功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀/設(shè)備，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-21 在線留言
詳細(xì)摘要： 二極管測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-21 在線留言
詳細(xì)摘要： 三極管測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-21 在線留言
詳細(xì)摘要： MOS管測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-21 在線留言
詳細(xì)摘要： SiC器件測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-03-21 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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