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大功率IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
ST-DP_X（1500V600A）
用于測(cè)試 Diode, IGBTs,MOSFETs等分立器件動(dòng)態(tài)交流參數(shù)測(cè)試
1500V/600A，短路電流2500A
閾值電荷 Qg（th） 1nC~5000nC（支持 0.1nC 的*小測(cè)量值，*高可至 0.01nC）
柵電荷 Qg 1nC~5000nC（支持 0.1nC 的*小測(cè)量值，*高可至 0.01nC）
平臺(tái)電壓 VgP 0V~10V
大功率IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
?產(chǎn)品簡(jiǎn)述
ST-DPX 系列產(chǎn)品是主要針對(duì) 半導(dǎo)體功率器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試 而開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)。通過(guò)DUT適配器的轉(zhuǎn)換，可測(cè)試各類(lèi)封裝外觀的 IGBTs，MOSFETs，DIODEs等功率器件，包括器件、模塊、DBC襯板以及晶圓。產(chǎn)品功能模塊化設(shè)計(jì)，根據(jù)用戶(hù)需求匹配功能單元。測(cè)試功能單元有DPT（雙脈沖測(cè)試 Double Pulse Testing，以下簡(jiǎn)稱(chēng)DPT。包含開(kāi)通特性、關(guān)斷特性、反向恢復(fù)特性）柵電荷、短路、雪崩、結(jié)電容、柵電阻、反偏安全工作區(qū)等。測(cè)試方案*符合IEC60747-9標(biāo)準(zhǔn)。
產(chǎn)品功能及輸出功率進(jìn)行了模塊化設(shè)計(jì)，滿(mǎn)足用戶(hù)潛在的后期需求，*高測(cè)試電壓電流可擴(kuò)展至10KV/10KA，變溫測(cè)試支持常溫到200℃，支持生產(chǎn)線批量化全自動(dòng)測(cè)試。
?產(chǎn)品特點(diǎn)
? 測(cè)試系統(tǒng)電壓以1500V為一個(gè)模塊，電流以2000A為一個(gè)模塊，可擴(kuò)展至10KA/10KV
? 內(nèi)置7顆標(biāo)準(zhǔn)電感負(fù)載可選用, 另有外接負(fù)載接口,可實(shí)現(xiàn)不同電感和電阻負(fù)載測(cè)試需要(20/50/100/200/500/1000/2000uH)
? 另有程控式電感箱可供選擇
? 針對(duì)不同結(jié)構(gòu)的封裝外觀，通過(guò)更換 DUT適配器即可
? 可進(jìn)行室溫到200℃的變溫測(cè)試,也可實(shí)現(xiàn)子單元測(cè)試功能
? 測(cè)試軟件具有實(shí)驗(yàn)?zāi)Ｊ胶蜕a(chǎn)模式，測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)為Excel文件
? 門(mén)極電阻可任意調(diào)整, 系統(tǒng)內(nèi)部寄生電感為*小至50nH
? 系統(tǒng)測(cè)試性能穩(wěn)定,適合大規(guī)模生產(chǎn)測(cè)試應(yīng)用（24hr 工作）
? 安全穩(wěn)定（PLC 對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖）
? 系統(tǒng)具有安全工作保護(hù)功能，以防止模塊高壓大電流損壞時(shí)對(duì)使用者造成傷害，設(shè)計(jì)符合CE認(rèn)證
? 支持半自動(dòng)和全自動(dòng)測(cè)試
? 采用品牌工控機(jī)，具有抗電磁*力強(qiáng)，排風(fēng)量大等特點(diǎn)
? 自動(dòng)化：?jiǎn)螜C(jī)測(cè)試時(shí)只需手動(dòng)放置DUT，也可連接機(jī)械選件實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化測(cè)試線
? 智能化，通過(guò)主控計(jì)算機(jī)進(jìn)行操控及數(shù)據(jù)編輯，測(cè)試結(jié)果自動(dòng)保存及上傳局域網(wǎng)
? 安全性，防爆，防觸電，防燙傷，短路保護(hù)等多重保護(hù)措施，確保操作人員、設(shè)備、數(shù)據(jù)及樣品安全。
?參數(shù)指標(biāo)
產(chǎn)品系列
晶體管圖示儀
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試篩選系統(tǒng)
靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
環(huán)境老化測(cè)試（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
熱特性測(cè)試（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可測(cè)試 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件
