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      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)

      參考價 190000
      訂貨量 ≥1
      具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱北京華測試驗儀器有限公司
      • 品       牌華測
      • 型       號HC-TSC
      • 所  在  地北京市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時間2024/12/11 10:26:14
      • 訪問次數(shù)46
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            北京華測試驗儀器有限公司( 簡稱: 華測儀器) 為高新技術(shù)企業(yè),專注于絕緣材料與先進(jìn)功能新材料電性能檢測以及材料電學(xué)測控設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù),目前公司產(chǎn)品已應(yīng)用于全國二十多個省、市、自治區(qū)。
        公司有功能材料、電氣絕緣材料兩個電學(xué)試驗室;涉及材料測試儀器、器件的放大、調(diào)理、采集、控制;傳感器性能綜合評價等相關(guān)儀器。
        產(chǎn)品系列:先進(jìn)功能材料電學(xué)綜合測試系統(tǒng)、絕緣診斷測試系統(tǒng)、高低溫介電溫譜測試儀、極化裝置與電源、高壓放大器、PVDV薄膜極化、高低溫冷熱臺、鐵電壓電熱釋電測試儀、絕緣材料電學(xué)性能綜合測試平臺、電擊穿強(qiáng)度試驗儀、耐電弧試驗儀、高壓漏電起痕測試儀、沖擊電壓試驗儀、儲能材料電學(xué)測控系統(tǒng)、壓電傳感器測控系統(tǒng)。





      先進(jìn)功能材料電學(xué)綜合測試系統(tǒng)、絕緣診斷測試系統(tǒng)、高低溫介電溫譜測試儀、極化裝置與電源、高壓放大器、PVDV薄膜極化、高低溫冷熱臺、鐵電壓電熱釋電測試儀、絕緣材料電學(xué)性能綜合測試平臺、電擊穿強(qiáng)度試驗儀、耐電弧試驗儀、高壓漏電起痕測試儀、沖擊電壓試驗儀、儲能材料電學(xué)測控系統(tǒng)、壓電傳感器測控系統(tǒng)。
      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)統(tǒng)熱刺激去極化電流(TSDC)技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程,在該過程中,電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動。
      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng) 產(chǎn)品信息


      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)


      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)


      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測試系統(tǒng)產(chǎn)品介紹:


      研究前景:

      環(huán)氧塑封料(EMC, Epoxy Molding Compound)是用于半導(dǎo)體封裝的一種熱固性化學(xué)材料,是由環(huán)氧樹脂為基體 樹脂,以高性能酚醛樹脂為固化劑,加入硅微粉等為填料,以及添加多種助劑混配而成的粉狀模塑料,為后道封裝的主要原材料之一,目前95%以上的微電子器件都是環(huán)氧塑封器件。環(huán)氧塑封料具有保護(hù)芯片不受外界環(huán)境的影響,抵抗外部溶劑、濕氣、沖擊,保證芯片與外界環(huán)境電絕緣等功能。環(huán)氧塑封料對高功率半導(dǎo)體器件的高溫反向偏壓(HTRB)性能有重要控制作用。


      產(chǎn)品概述:

      熱刺激去極化電流(TSDC)技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程,在該過程中,電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動。盡管單個TSDC信號和HTRB性能之間的相關(guān)性表明,極化峰值越

      高,TSDC曲線越大,而HTRB性能越差,但這并不能wanquan解釋EMC在發(fā)出強(qiáng)放電信號時的某些故障。因此,弛豫時間是解釋外層HTRB失效樣本的另一個關(guān)鍵參數(shù)。

      關(guān)于環(huán)氧塑封料(EMC, Epoxy Molding Compound)TSDC測試技術(shù),為華測公司在國內(nèi)最早提及目前已被廣泛應(yīng)用到更多的半導(dǎo)體封裝材料及半導(dǎo)體生產(chǎn)研發(fā)企業(yè)。已證明此測試方式是有效的,同時加速國產(chǎn)化IGBT、MOSFET等功率器件的研發(fā)。如無錫凱華、中科科化、飛凱材料等企業(yè)。


      應(yīng)用場景:

      材料研發(fā)與性能評估:介電材料研究、絕緣材料評估、半導(dǎo)體材料分析;電子元器件與封裝技術(shù):元器件可靠性測試、封裝材料選擇、封裝工藝優(yōu)化;電力與能源領(lǐng)域:電力設(shè)備絕緣監(jiān)測、儲能材料研究;其他領(lǐng)域:生物分子材料研究、環(huán)境監(jiān)測與保護(hù);半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)在材料研發(fā)、電子元器件與封裝技術(shù)、電力與能源領(lǐng)域以及其他多個領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用前景。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,TSDC測試系統(tǒng)將在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。


      產(chǎn)品原理:

      TSDC是一種研究電荷存儲特性的實驗技術(shù),用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫,該方法包括一個極化過程,其中介電樣品在高溫下暴露于高電場強(qiáng)度下。在此之后,試樣在外加電場的作用下迅速進(jìn)行冷卻。以這種方式,電荷被分離并固定在介電材料駐極體內(nèi)。然后進(jìn)行升溫將駐極體內(nèi)的電荷進(jìn)行釋放,同時配合測量儀器進(jìn)行測量,并為科研人員進(jìn)行分析。通過TSDC測試方法研究了EMC對功率半導(dǎo)體HTRB可靠性的影響,了解到EMC在高溫、高壓條件下會發(fā)生電極化或電取向。此外,依賴于在相應(yīng)的冷卻環(huán)境中維持其極化狀態(tài),它會干擾MOS-FET半導(dǎo)體中反轉(zhuǎn)層的正常形成。通過TSDC試驗,我們還了解了在可靠性測試中由于應(yīng)用條件而導(dǎo)致的材料內(nèi)部極化電荷的數(shù)量也是一個重要的影響因素。

      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)

      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)


      1、消除電網(wǎng)諧波對采集精度的影響

      在超高阻、弱信號測量過程中、輸入偏置電流和泄漏電流都會引起測量誤差。同時電網(wǎng)中大量使用變頻器等高頻、高功率設(shè)備,將對電網(wǎng)造成諧波干擾。以致影響弱信號的采集,華測儀器公司推出的抗干擾模塊以及用最新測試分析技術(shù),實現(xiàn)了高達(dá)1fA(10-15 A)的測量分辨率,從而滿足了很多半導(dǎo)體,功能材料和納米器件的測試需求。


      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)


      2、消除不規(guī)則輸入的自動平均值功能,更強(qiáng)數(shù)據(jù)處理及內(nèi)部屏蔽


      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)


      自動平均值是檢測電流的變化,并自動將其進(jìn)行平均化的功能, 在查看測量結(jié)果的同時不需要改變設(shè)置。通過自動排除充電電流的過渡響應(yīng)時或接觸不穩(wěn)定導(dǎo)致偏差較大。電流輸入端口全新采用大口徑三軸連接器,是將內(nèi)部屏蔽連接至GUARD(COM)線,外部屏蔽連接至GROUND的3層同軸設(shè)計。兼顧抗干擾的穩(wěn)定性和高壓檢查時的安全性。

      3、更強(qiáng)大的操作軟件

      測試系統(tǒng)的軟件平臺 Huacepro ,基于labview系統(tǒng)開發(fā),符合功能材料的各項測試需求,具備強(qiáng)大的穩(wěn)定性與操作安全性,并具備斷電資料的保存功能,圖像資料也可保存恢復(fù)。支持最新的國際標(biāo)準(zhǔn),兼容XP、win7、win10系統(tǒng)。

      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)


      4、更強(qiáng)大的硬件配置

      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)


      5、可擴(kuò)展的測量模式

      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)


      產(chǎn)品曲線:

      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)


      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)


      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)


      產(chǎn)品參數(shù):

      設(shè)備型號HC-TSC

      溫度范圍-185 ~ 600°C

      控溫精度±0.25°C

      升溫斜率10°C/min(可設(shè)定)

      測試頻率最大電壓:±10kV

      加熱方式直流電極加熱

      冷卻方式水冷

      樣品尺寸φ<25mm,d<4mm

      電極材料黃銅或銀;

      夾具輔助材料 99氧化鋁陶瓷

      低溫制冷液氮

      測試功能 TSDC

      數(shù)據(jù)傳輸RS-232  

      設(shè)備尺寸 180 x 210 x 50mm







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