智能制造網(wǎng)APP
智能制造網(wǎng)手機(jī)站
智能制造網(wǎng)小程序
智能制造網(wǎng)官微
智能制造網(wǎng)服務(wù)號(hào)
IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀生產(chǎn)廠商 IGBT雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)
| 品牌 : | 天光測(cè)控 | 型號(hào) : | TRd 2015 |
| 加工定制 : | 是 | 類型 : | 電參數(shù)測(cè)試儀 |
| 測(cè)量范圍 : | 電壓2000V，電流1500A | 精確度 : | 正負(fù)1%精度 |
| 儀表尺寸 : | 800*600*1800 | 適用范圍 : | 在線檢修，來料檢驗(yàn)，失效分析 |
| 儀表重量 : | 100kg | 工作電源 : | 220V |
| 規(guī)格 : | IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 | 測(cè)量精度 : | 正負(fù)%1精度測(cè)量 |
| 功率 : | 300W | 頻率 : | 50Hz |
IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀生產(chǎn)廠商
產(chǎn)品詳情
天光測(cè)控大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備主要針對(duì)IGBT及MOS管的測(cè)試儀，適用于芯片設(shè)計(jì)，產(chǎn)線封裝測(cè)試及新能源汽車，風(fēng)力發(fā)電，地鐵交通等領(lǐng)域的大功率器件及模塊測(cè)試，設(shè)備模塊化程度高，測(cè)試穩(wěn)定性及測(cè)試精度在客戶端已經(jīng)廣泛使用?？梢愿鶕?jù)就用戶需求進(jìn)行定制。
測(cè)試系統(tǒng)以2000A為一個(gè)電流模塊,以1500V為一個(gè)電壓模塊，電流電壓可升級(jí)；
1范圍
天光測(cè)控大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)規(guī)范提出的是限度的要求，并未對(duì)所有技術(shù)細(xì)節(jié)作出規(guī)定，也未充分引述有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范的條文，供貨方應(yīng)提供符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。本技術(shù)規(guī)范所使用的標(biāo)準(zhǔn)如遇與供貨方所執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)不*時(shí)，應(yīng)按較高標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。
2應(yīng)遵循的主要現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)
天光測(cè)控大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，功率半導(dǎo)體模塊測(cè)試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、制造、檢查、試驗(yàn)等遵循如下國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，但不限于以下標(biāo)準(zhǔn)。
GB 13869-2008 用電安全導(dǎo)則
GB19517-2004 國(guó)家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范
GB/T 15153.1-1998 運(yùn)動(dòng)設(shè)備及系統(tǒng)
GB 4208-2008 外殼防護(hù)等級(jí)（IP代碼）（IEC 60529：2001，IDT）
GB/T 191-2008 包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志
GB/T 15139-1994 電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件
GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
GB/T 3797-2005 電氣控制設(shè)備
GB/T 4588.3-2002 印制板的設(shè)計(jì)和使用
GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則
GB/T 6988-2008 電氣技術(shù)用文件的編制
GB/T 3859.3 半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器
GB/T 311.1 絕緣配合第1部分：定義、原則和規(guī)則
IEC 60747-2/GB/T 4023-1997 半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管
IEC 60747-9:2007/GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBTs）
3技術(shù)要求
3.1整體技術(shù)指標(biāo)
3.1.1 功能與測(cè)試對(duì)象
*1）功能
天光測(cè)控大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，測(cè)試單元具備測(cè)試IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。具體測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)詳見表格411。
*2）測(cè)試對(duì)象
被測(cè)器件主要IGBT模塊。
3.1.2 IGBT模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)
天光測(cè)控大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，測(cè)試單元對(duì)IGBT模塊和FRD的動(dòng)態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9以及IEC60747-2。如有其他需求，可自行定義。
以下參數(shù)的測(cè)試可以在不同的電壓等級(jí)、電流等級(jí)、溫度、機(jī)械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動(dòng)回路參數(shù)下進(jìn)行。
1）圖2 IGBT開通過程及其參數(shù)定義動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)
IGBT的開通和關(guān)斷波形及其相關(guān)參數(shù)的定義如圖2、圖3所示。
圖2 IGBT開通過程及其參數(shù)定義
圖3 IGBT關(guān)斷過程及其參數(shù)定義
表格2 可測(cè)量的IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)
參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 參數(shù)名稱 | 符號(hào) |
開通延遲時(shí)間 | td(on) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) |
上升時(shí)間 | tr | 下降時(shí)間 | tf |
開通時(shí)間 | ton | 關(guān)斷時(shí)間 | toff |
開通損耗 | Eon | 關(guān)斷損耗 | Eoff |
柵極電荷 | Qg | 拖尾時(shí)間 | tz |
短路電流 | ISC | / | / |
可測(cè)量的FRD動(dòng)態(tài)參數(shù)
參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 參數(shù)名稱 | 符號(hào) |
反向恢復(fù)電流 | IRM | 反向恢復(fù)電荷 | Qrr |
反向恢復(fù)時(shí)間 | trr | 反向恢復(fù)損耗 | Erec |
3.1.天光測(cè)控大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀反偏安全工作區(qū)參數(shù)及指標(biāo)
主要參數(shù) | 測(cè)試范圍 | 精度要求 | 測(cè)試條件 |
Vce 集射極電壓 | 150 3300V | 150 500V±3±1V；500 1000V±2±2V；1000 3300V±1±5V； | 150 3300V |
Ic 集射極電流 | 1 200A | 1 200A±3±1A； | 1 200A |
Vge 柵極電壓 | -30V 30V | -30 0V±1±0.1V；0 +30V±1±0.1V | -30V 30V |
Qg 柵極電荷 | 400 20000nC | Ig: 0 50A±3±0.1mA; | 40020000nC |
td(on)、td(off) 開通/關(guān)斷延遲 | 10 1000ns | 10200±2±2ns；2001000±2±5ns | |
tr、tf 上升/下降時(shí)間 | 10 1000ns | 10200±2±2ns；2001000±2±5ns； | |
Eon、Eoff 開通/關(guān)斷能量 | 1 5000mJ | 1 50mJ±2±0.1mJ；50 200mJ±2±1mJ；200 1000mJ±2±2mJ；1000 5000mJ±1±5mJ； |
主要參數(shù) | 測(cè)試范圍 | 精度要求 | 測(cè)試條件 |
Vcc 二極管電壓 | 50 3300V | 200 500V±3±1V；500 1500V±2±2V； | 200 3300V |
IRM 反向恢復(fù)電流 | 50 200A | 50 200A±3±1A； | 50 200A |
Qrr 反向關(guān)斷電荷 | 1 20000μC | 50 200μC±3±1 μC；200 1000μC±3±2 μC；1000 5000μC±2±5 μC；5000 20000μC±2±10μC； | 1 20000μC |
trr 反向恢復(fù)時(shí)間 | 20 2000ns | 20100±3±1ns；100500±3±2ns； 5002000±2±5ns； | 20 2000ns |
Erec 反向關(guān)斷能量損失 | 1 5000mJ | 1 50mJ±3±0.1mJ；50200 1000mJ±2±2mJ；1000 5000mJ±1±5mJ | 1 5000mJ |
3.1.4天光測(cè)控大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀保護(hù)安全功能
本測(cè)試單元應(yīng)具備完善的保護(hù)功能，除可有效保護(hù)操作人員不受事故傷害外，還在發(fā)生故障時(shí)不會(huì)造成設(shè)備自身的較大損壞，通過采取更換小型部件的方式即可修復(fù)。保護(hù)功能包括但不限于如下功能：
l *高壓測(cè)試前可選低壓預(yù)測(cè)試驗(yàn)證系統(tǒng)安全及連接良好
l *完備的人身安全防護(hù)
l 測(cè)試結(jié)束電容自動(dòng)放電
l 測(cè)試過程中短路保護(hù)（非短路測(cè)試）
l *被測(cè)器件防爆保護(hù)
3.2天光測(cè)控大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀測(cè)試單元組成
本測(cè)試單元包括動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試部分，主要組成材料及其要求如下所示。
3.2.1 天光測(cè)控大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試部分主要材料清單
表格12動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試部分組成
序號(hào) | 組成部分 | 單位 | 數(shù)量 |
1 | 可調(diào)充電電源 | 套 | 1 |
2 | 直流電容器 | 個(gè) | 8 |
3 | 動(dòng)態(tài)測(cè)試負(fù)載電感 | 套 | 1 |
4 | 安全工作區(qū)測(cè)試負(fù)載電感 | 套 | 1 |
5 | 補(bǔ)充充電回路限流電感L | 個(gè) | 1 |
6 | 短路保護(hù)放電回路 | 套 | 1 |
7 | 正常放電回路 | 套 | 1 |
8 | 高壓大功率開關(guān) | 個(gè) | 5 |
9 | 尖峰抑制電容 | 個(gè) | 1 |
10 | 主回路正向?qū)ňчl管 | 個(gè) | 2 |
11 | 動(dòng)態(tài)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 | 個(gè) | 2 |
12 | 安全工作區(qū)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 | 個(gè) | 3 |
13 | 被測(cè)器件旁路開關(guān) | 個(gè) | 1 |
14 | 工控機(jī)及操作系統(tǒng) | 套 | 1 |
15 | 數(shù)據(jù)采集與處理單元 | 套 | 1 |
16 | 機(jī)柜及其面板 | 套 | 1 |
17 | 壓接夾具及其配套系統(tǒng) | 套 | 1 |
18 | 加熱裝置 | 套 | 1 |
19 | 其他輔件 | 套 | 1 |
3.3主要技術(shù)要求
3.3.1 天光測(cè)控大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試單元技術(shù)要求
3.3.1.1 環(huán)境條件
1) 海拔高度：海拔不超過1000m；
2) 溫度：儲(chǔ)存環(huán)境溫度 -2060；
3) 工作環(huán)境溫度： -540；
4) 濕度：20RH 至 90RH (無凝露，濕球溫度計(jì)溫度: 40以下)；
5) 震動(dòng)：抗地震能力按7級(jí)設(shè)防，地面抗震動(dòng)能力0.5g；
6) 防護(hù)：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；
3.3.1.2天光測(cè)控大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
天光測(cè)控大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備主要針對(duì)IGBT及MOS管的測(cè)試儀，適用于芯片設(shè)計(jì)，產(chǎn)線封裝測(cè)試及新能源汽車，風(fēng)力發(fā)電，地鐵交通等領(lǐng)域的大功率器件及模塊測(cè)試，設(shè)備模塊化程度高，測(cè)試穩(wěn)定性及測(cè)試精度在客戶端已經(jīng)廣泛使用?？梢愿鶕?jù)就用戶需求進(jìn)行定制。天光測(cè)控專業(yè)提供動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試|IGBT測(cè)試儀|雪崩能量測(cè)試儀|IPM測(cè)試儀|分立器件測(cè)試系統(tǒng)。
