核心功能與技術(shù)特點(diǎn)

高效清洗能力

顆粒去除：采用去離子水（DIW）噴淋技術(shù)，結(jié)合旋轉(zhuǎn)機(jī)械結(jié)構(gòu)，可有效清除爐管內(nèi)壁≥0.2μm的顆粒污染物，去除率達(dá)95%以上，滿足半導(dǎo)體級(jí)潔凈度要求。

化學(xué)腐蝕處理：針對(duì)硅沉積物、碳顆粒等頑固殘留，支持濕法化學(xué)清洗（如HF/HNO?混合液），通過(guò)溫控（±1℃）和流速優(yōu)化實(shí)現(xiàn)均勻腐蝕，避免局部過(guò)蝕。

清洗模式

旋轉(zhuǎn)+噴淋復(fù)合清洗：爐管在旋轉(zhuǎn)過(guò)程中接受多角度噴淋，確保表面全覆蓋，提升清洗效率。

兆聲波輔助（可選）：部分機(jī)型集成MHz級(jí)兆聲波空化技術(shù)，增強(qiáng)微觀顆粒剝離能力，適用于深孔或復(fù)雜結(jié)構(gòu)爐管。

高精度控制與安全性

溫度與流體控制：PLC系統(tǒng)實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)清洗液溫度（常規(guī)范圍20~80℃）、壓力及流量，配合渦旋流控算法減少陰影效應(yīng)。

安全保護(hù)機(jī)制：配備排風(fēng)系統(tǒng)、漏液檢測(cè)、EMO急停裝置及電控箱正壓保護(hù)（CDA Purge），防止化學(xué)泄漏與電氣故障。

材料與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

耐腐蝕材質(zhì)：主體采用德國(guó)進(jìn)口PP板+不銹鋼骨架，DIW管路為日本clean-PVC材質(zhì)，酸堿管路使用PFA/PVDF，耐受18MΩ·cm去離子水及強(qiáng)酸強(qiáng)堿。

模塊化設(shè)計(jì)：支持手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)模式切換，兼容不同尺寸爐管（如4-12英寸），便于維護(hù)與升級(jí)。

應(yīng)用領(lǐng)域與優(yōu)勢(shì)

核心應(yīng)用場(chǎng)景

擴(kuò)散爐/氧化爐維護(hù)：清除CVD腔室硅沉積物、氧化層，保障芯片摻雜與氧化層生長(zhǎng)工藝的穩(wěn)定性。

封裝清洗：處理TSV硅通孔爐管、臨時(shí)鍵合劑殘留，適配3D NAND、扇出型封裝需求。

石英部件清潔：清洗石英舟、片盒等耗材，延長(zhǎng)其使用壽命并避免交叉污染。

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

溫和無(wú)損傷：非接觸式清洗避免機(jī)械刮擦，延長(zhǎng)爐管壽命（較傳統(tǒng)刷洗提升30%以上）。

高一致性：通過(guò)流體仿真與溫度均勻性控制（±1℃），確保每根爐管清洗效果一致，提升芯片良率。

環(huán)保節(jié)能：廢液回收率＞80%，支持封閉式循環(huán)系統(tǒng)，減少危廢處理成本。

半導(dǎo)體爐管清洗機(jī)通過(guò)化學(xué)濕法、物理噴淋及智能控制，實(shí)現(xiàn)爐管納米級(jí)潔凈度與低損傷清洗，是保障半導(dǎo)體制造良率與設(shè)備壽命的核心設(shè)備。未來(lái)趨勢(shì)將聚焦AI參數(shù)優(yōu)化、無(wú)氟環(huán)保工藝及自動(dòng)化聯(lián)機(jī)技術(shù)，持續(xù)提升清洗效率與可持續(xù)性。