納米材料高溫原位表征及測(cè)試數(shù)字源表方案
通過MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)對(duì)樣品構(gòu)建精細(xì)熱場(chǎng)自動(dòng)調(diào)通過MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)對(duì)樣品構(gòu)建精細(xì)熱場(chǎng)自動(dòng)調(diào)控及反饋測(cè)量系統(tǒng),并結(jié)合TEM/SEM研究材料在不同熱場(chǎng)條件下發(fā)生結(jié)構(gòu)相變、形貌變化、物性變化以及電性變化等關(guān)鍵信息。
測(cè)試面臨的挑戰(zhàn):
傳統(tǒng)的二線制電阻測(cè)量方式容易引入附加誤差,降低MEMS芯片控溫的晶準(zhǔn)度。材料測(cè)試所能承受的電流超小,低至nA甚至pA,測(cè)試設(shè)備需要具備小電流的測(cè)量能力。
普賽斯S/P系列源表為原位表征提供晶準(zhǔn)熱場(chǎng)控制及電性能測(cè)量:
標(biāo)配四線制測(cè)量端口;
提供多個(gè)電流量程,量程越低,精度越高;
蕞低1pA電流分辨率,源測(cè)精度高達(dá)0.03%。納米材料高溫原位表征及測(cè)試數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表咨詢
武漢普賽斯是國(guó)內(nèi)醉早生產(chǎn)源表的廠家,產(chǎn)品系列豐富:產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍,產(chǎn)品已經(jīng)過了市場(chǎng)的考驗(yàn),市場(chǎng)應(yīng)用率高;SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,直流更大、精度更高、準(zhǔn)確度提升至±0.03%,直流電流升級(jí)至3A,PX00B系列蕞大脈沖輸出電流達(dá)30A,蕞大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案,歡迎隨時(shí)咨詢!