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igbt測試設(shè)備高電壓大電流功率器件測試

參考價(jià)	￥ 1000
訂貨量	≥1臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
品牌普賽斯儀表
型號(hào)PMST-8000V
所在地武漢市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2024/3/5 14:58:38
訪問次數(shù)330

產(chǎn)品標(biāo)簽:

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公司介紹主營產(chǎn)品

武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司，一直專注于半導(dǎo)體的性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售，致力于滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測試用科學(xué)儀器的國產(chǎn)替代需求。

基于普賽斯電子嶺先的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號(hào)處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號(hào)處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢，公司自主研發(fā)了高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國產(chǎn)化電性能測試儀表，以及mini LED測試系統(tǒng)、電流傳感器測試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測試精度高、速度快、兼容性強(qiáng)、測試范圍寬、可靠性高、操作簡便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測試、集成電路測試、高校教學(xué)實(shí)訓(xùn)平臺(tái)等應(yīng)用；為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案，同時(shí)滿足行業(yè)對(duì)測試效率、測試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)?；奶魬?zhàn)。

普賽斯儀表自主研制的國產(chǎn)化數(shù)字源表，可作為電壓源和或電流源并同步測量電流和或電壓，支持四象限工作。作為國內(nèi)嶺跑的半導(dǎo)體電性能測試儀表提供商，普賽斯儀表憑借長期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴(yán)格的質(zhì)量體系及國際化視野，推出的產(chǎn)品已被國內(nèi)通信巨圖和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認(rèn)可和應(yīng)用，是為數(shù)不多進(jìn)入國際半導(dǎo)體測試市場供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測試設(shè)備廠商。未來，公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨，朝著圈球半導(dǎo)體電性能測試儀表的嶺跑者邁進(jìn)。

展開顯示更多內(nèi)容

數(shù)字源表,脈沖恒流源,脈沖恒壓源,高壓源,大功率激光器老化系統(tǒng),功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)

產(chǎn)品簡介在線詢價(jià)

普賽斯igbt測試設(shè)備高電壓大電流功率器件測試,集多種測量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測量、納安級(jí)電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

igbt測試設(shè)備高電壓大電流功率器件測試產(chǎn)品信息

igbt測試設(shè)備高電壓大電流功率器件測試解決方案

為應(yīng)對(duì)各行各業(yè)對(duì)IGBT的測試需求，武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造了一款高精密電壓-電流的IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試需求。系統(tǒng)采用模塊化集成的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，為用戶后續(xù)靈活添加或升級(jí)測量模塊提供了極大便捷和優(yōu)性價(jià)比，提高測試效率以及產(chǎn)線UPH。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)支持交互式手動(dòng)操作或結(jié)合探針臺(tái)的自動(dòng)操作，能夠在從測量設(shè)置和執(zhí)行到結(jié)果分析和數(shù)據(jù)管理的整個(gè)表征過程中實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征。也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。

靜態(tài)測試系統(tǒng)新.png

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設(shè)計(jì)，測試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，Z大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至pA漏電流；集電極-發(fā)射極，Z大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時(shí)間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；Z高支持 3500V(可擴(kuò)展至10kV)電壓輸出，且自帶漏電流測量功能。電容特性測試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測試，頻率Z高支持1MHz，可靈活選配。

系統(tǒng)優(yōu)勢/Feature

PART

IGBT等大功率器件由于其功率特點(diǎn)極易產(chǎn)生大量熱量，施加應(yīng)力時(shí)間長，溫度迅速上升，嚴(yán)重時(shí)會(huì)使器件損壞，且不符合器件工作特性。普賽斯高壓模塊建立的時(shí)間小于5ms，在測試過程中能夠減少待測物加電時(shí)間的發(fā)熱。

功率半導(dǎo)體測試用HCPL100高電流脈沖電源.jpg

PART

高壓下漏電流的測試能力，測試覆蓋率優(yōu)于國際品牌。市面上絕大多數(shù)器件的規(guī)格書顯示，小模塊在高溫測試時(shí)漏電流一般大于5mA，而車規(guī)級(jí)三相半橋高溫下漏電大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規(guī)格書為例：3300V，125℃測試條件下ICES典型值14mA，Z大40mA。普賽斯靜態(tài)系統(tǒng)高壓模塊測試幾乎可以W美應(yīng)對(duì)所有類型器件的漏電流測試需求。

PART

此外，VCE(sat)測試是表征 IGBT 導(dǎo)通功耗的主要參數(shù)，對(duì)開關(guān)功耗也有一定的影響。需要使用高速窄脈沖電流源，脈沖上升沿速度要足夠快時(shí)才能減小器件發(fā)熱，同時(shí)設(shè)備需要有同步采樣電壓功能。

IGBT靜態(tài)測試系統(tǒng)大電流模塊：50us—500us 的可調(diào)電流脈寬，上升邊沿在 15us(典型值)，減少待測物在測試過程中的發(fā)熱，使測試結(jié)果更加準(zhǔn)確。下圖為 1000A 波形：

PART

快速靈活的客制化夾具解決方案：強(qiáng)大的測試夾具解決方案對(duì)于保證操作人員安全和支持各種功率器件封裝類型極為重要。不論器件的大小或形狀如何，普賽斯均可以快速響應(yīng)用戶需求，提供靈活的客制化夾具方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點(diǎn)，可用于二極管、三極管、場效應(yīng)晶體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管，模組類產(chǎn)品的測試。

結(jié)束語

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)作為J端產(chǎn)品，以往在國際市場上只被少數(shù)企業(yè)掌握。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以及先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備保有國出口管制的升級(jí)，對(duì)國產(chǎn)設(shè)備廠家來說既是挑戰(zhàn)也是機(jī)遇。未來，武漢普賽斯將充分發(fā)揮自身的技術(shù)和創(chuàng)新優(yōu)勢，持續(xù)推動(dòng)J端產(chǎn)品落地應(yīng)用，真正做到以技術(shù)創(chuàng)造更多價(jià)值。igbt測試設(shè)備高電壓大電流功率器件測試就找武漢普賽斯儀表

關(guān)鍵詞：功率器件 IGBT 場效應(yīng)晶體管