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igbt測試設備高電壓大電流功率器件測試

參考價	￥ 1000
訂貨量	≥1套

具體成交價以合同協(xié)議為準

公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
品牌普賽斯儀表
型號PMST-8000V
所在地武漢市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時間2024/3/5 15:00:01
訪問次數(shù)772

產(chǎn)品標簽:

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公司介紹主營產(chǎn)品

武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司，一直專注于半導體的性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售，致力于滿足半導體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測試用科學儀器的國產(chǎn)替代需求。

基于普賽斯電子嶺先的光學與光電技術(shù)、微弱信號處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺優(yōu)勢，公司自主研發(fā)了高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國產(chǎn)化電性能測試儀表，以及mini LED測試系統(tǒng)、電流傳感器測試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測試精度高、速度快、兼容性強、測試范圍寬、可靠性高、操作簡便以及快捷靈活的響應式服務等優(yōu)勢，廣泛應用于新型半導體器件材料分析、半導體分立器件測試、集成電路測試、高校教學實訓平臺等應用；為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案，同時滿足行業(yè)對測試效率、測試精度、供應鏈安全以及規(guī)?；奶魬?zhàn)。

普賽斯儀表自主研制的國產(chǎn)化數(shù)字源表，可作為電壓源和或電流源并同步測量電流和或電壓，支持四象限工作。作為國內(nèi)嶺跑的半導體電性能測試儀表提供商，普賽斯儀表憑借長期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴格的質(zhì)量體系及國際化視野，推出的產(chǎn)品已被國內(nèi)通信巨圖和多家之名半導體企業(yè)認可和應用，是為數(shù)不多進入國際半導體測試市場供應鏈體系的半導體電性能測試設備廠商。未來，公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務”為宗旨，朝著圈球半導體電性能測試儀表的嶺跑者邁進。

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數(shù)字源表,脈沖恒流源,脈沖恒壓源,高壓源,大功率激光器老化系統(tǒng),功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)

產(chǎn)品簡介在線詢價

普賽斯igbt測試設備高電壓大電流功率器件測試,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量IGBT功率半導體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、納安級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

igbt測試設備高電壓大電流功率器件測試產(chǎn)品信息

igbt測試設備高電壓大電流功率器件測試解決方案

為應對各行各業(yè)對IGBT的測試需求，武漢普賽斯正向設計、精益打造了一款高精密電壓-電流的IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導等豐富功能的綜合測試，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試需求。系統(tǒng)采用模塊化集成的設計結(jié)構(gòu)，為用戶后續(xù)靈活添加或升級測量模塊提供了極大便捷和優(yōu)性價比，提高測試效率以及產(chǎn)線UPH。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)支持交互式手動操作或結(jié)合探針臺的自動操作，能夠在從測量設置和執(zhí)行到結(jié)果分析和數(shù)據(jù)管理的整個表征過程中實現(xiàn)高效和可重復的器件表征。也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)主機內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，Z大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至pA漏電流；集電極-發(fā)射極，Z大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；Z高支持 3500V(可擴展至10kV)電壓輸出，且自帶漏電流測量功能。電容特性測試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測試，頻率Z高支持1MHz，可靈活選配。

系統(tǒng)優(yōu)勢/Feature

PART

IGBT等大功率器件由于其功率特點極易產(chǎn)生大量熱量，施加應力時間長，溫度迅速上升，嚴重時會使器件損壞，且不符合器件工作特性。普賽斯高壓模塊建立的時間小于5ms，在測試過程中能夠減少待測物加電時間的發(fā)熱。

功率半導體測試用HCPL100高電流脈沖電源.jpg

PART

高壓下漏電流的測試能力，測試覆蓋率優(yōu)于國際品牌。市面上絕大多數(shù)器件的規(guī)格書顯示，小模塊在高溫測試時漏電流一般大于5mA，而車規(guī)級三相半橋高溫下漏電大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規(guī)格書為例：3300V，125℃測試條件下ICES典型值14mA，Z大40mA。普賽斯靜態(tài)系統(tǒng)高壓模塊測試幾乎可以W美應對所有類型器件的漏電流測試需求。

PART

此外，VCE(sat)測試是表征 IGBT 導通功耗的主要參數(shù)，對開關(guān)功耗也有一定的影響。需要使用高速窄脈沖電流源，脈沖上升沿速度要足夠快時才能減小器件發(fā)熱，同時設備需要有同步采樣電壓功能。

IGBT靜態(tài)測試系統(tǒng)大電流模塊：50us—500us 的可調(diào)電流脈寬，上升邊沿在 15us(典型值)，減少待測物在測試過程中的發(fā)熱，使測試結(jié)果更加準確。下圖為 1000A 波形：

PART

快速靈活的客制化夾具解決方案：強大的測試夾具解決方案對于保證操作人員安全和支持各種功率器件封裝類型極為重要。不論器件的大小或形狀如何，普賽斯均可以快速響應用戶需求，提供靈活的客制化夾具方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點，可用于二極管、三極管、場效應晶體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管，模組類產(chǎn)品的測試。

結(jié)束語

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)作為J端產(chǎn)品，以往在國際市場上只被少數(shù)企業(yè)掌握。全球半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以及先進半導體制造設備保有國出口管制的升級，對國產(chǎn)設備廠家來說既是挑戰(zhàn)也是機遇。未來，武漢普賽斯將充分發(fā)揮自身的技術(shù)和創(chuàng)新優(yōu)勢，持續(xù)推動J端產(chǎn)品落地應用，真正做到以技術(shù)創(chuàng)造更多價值。igbt測試設備高電壓大電流功率器件測試就找武漢普賽斯儀表

關(guān)鍵詞：功率器件 IGBT 場效應晶體管